固体物理学：07_07 金属－绝缘体－半导体和 MOS 反型层.pdf

固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 §7.7 金属－绝缘体－半导体和MOS 反型层 MIS 体系：金属－绝缘体－半导体 —— Metal Insulator Semiconductor MOS 体系：金属－氧化物－半导体 —— Metal Oxide Semiconductor —— 是MIS 结构的一种特殊形式 MOS 有着许多主要的应用 1）绝缘栅场效应管：存储信息 2 ）集成电路：计算机RAM 3 ）电荷耦合器件：CCD —— 存储信号、转换信号 MIS 体系的机理 如图XCH007_0 15 所示，金属层——栅极，半导体接地，两者之间为氧化物（SiO2~ 100nm ）。以P型 半导体为例进行讨论。 在栅极施加电压为负时，半导体中的空穴被吸收到半导体表面，并在表面处形成带正电荷的空穴积 累层。如图XCH007_015_01 所示。 在栅极施加电压为正时，半导体中的多数载流子——空穴被排斥离开半导体表面，而少数载流子— —电离的受主电子则被吸收表面处。如图XCH007_015_02 所示。 —— 当电压较小时，表现为空穴被排斥而在表面处形成负电荷的耗尽层，带负电的电子为屏蔽栅极 正电压，耗尽层具有一定的厚度d ~微米量级 —— 称为空间电荷区。 如图XCH007_0 16_0 1 所示。空间电荷区存在电场，使该区域电子的能带发生弯曲，对空穴来说形成 一个势垒。 REVISED TIME: 05-5-23 - 1 - CREATED BY XCH 固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 半导体表面 —— x 0 相对于体内x d 的电势差称为表面势：V 。如图XCH007_0 16_02 所示。 S 当栅极正电压增大时，表面势进一步增大，如图XCH007_017 所示。当表面势足够大时，有可能使 表面处的费密能级进入带隙的上半部，此时空间电荷区电子的浓度将要超过空穴的浓度，从而形成 电子导电层。如图XCH007_015_03 所示 空间电荷区的载流子主要为电子，半导体内部的载流子为空穴，因此将该层称为反型层。 形成反型层时的能带如图XCH007_017 所示。E 是半导体的本征费密能级 （或体内费密能级），E i F 是表面处的费密能级。当E 在E 之上时，电子的浓度大于空穴的浓度，两者相等时，电子和空穴 F i 的浓度相等，当E 在E 之下时，电子的浓度小于空穴的浓度。 F i 形成反型层的条件 费密能级E 从体内E 之下变成表面时，即在E 之上，两者之差qV 满足：qVF Ei −EF F i i F 一般形成反型层的条件：qVi ≥2qVF 2(Ei −EF ) ——此时表面处电子的浓度增加到等于或超过 体内空穴的浓度。 N 沟道的形成 反型层中的电子，一边是绝缘层—— 导带比半导体高出许多，另一边则是空间电荷区电场形成的势 REVISED TIME: 05-5-23 - 2 - CREATED BY XCH 固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 垒，电子实际上被限制在表面附近能量最低的一个狭窄的区域，有时将反型层称为沟道。 P 型半导体的表面反型层是电子构成的，称为N 沟道。 N 沟道晶体管 如图XCH007_0 18_02 所示，在P 型衬底的MOS 体系中 增加两个N 型扩散区——源区 S 和漏区D，构成N 沟 道晶体管。 1) 一般情况下（栅极正向电压很小），