第六章太阳能电池资料.pptVIP

2021/2/11 * 太阳能电池的制造过程 硅片腐蚀 等离子边缘腐蚀 减反射膜制备 表面金属化 扩散制结 去磷硅玻璃 2021/2/11 * 太阳能电池及模块和阵列 2021/2/11 * 单晶硅太阳能电池 一般采用n+/p同质结的结构,即在p型硅片上用扩散法制作出一层很薄的经过种掺杂的n性层,然后再n性层上制作金属栅线,作为正面的接触电极。 为减少光的反射损失,一般在整个表面制作绒面,或覆盖减反射膜。 2021/2/11 * GaAs太阳能电池 2021/2/11 * CdTe太阳能电池 2021/2/11 * 太阳电池应用 2021/2/11 * 太阳电池应用 2021/2/11 * 太阳电池应用 2021/2/11 * 太阳能电池遇到的挑战 接受太阳辐射的面积; 气候的影响; 硅片的价格及硅片的加工技术。 * 2021/2/11 * 第6章 太阳能电池 2021/2/11 * 太阳能电池的定义 太阳能电池,又称光伏器件,是一种利用光生伏特效应把光能转变为电能的器件。它是太阳能光伏发电的基础和核心,是一种具有光伏效应的半导体器件。 2021/2/11 * 第一代基于硅片技术的太阳电池 基于半导体薄膜技术的第二代半导体太阳电池 2021/2/11 * “多层膜一叠层半导体材料一量子阱材料一量子点材料”为主要路线的第三代太阳能电池 2021/2/11 * 按结构 分类 同质结 太阳电池 异质结 太阳电池 肖特基 太阳电池 太阳能电池的分类 传统 太阳电池 激子 太阳电池 按光电转 换机理 2021/2/11 * 硅太阳 电池 敏化纳米晶 太阳电池 有机化合物 太阳电池 塑料 太阳电池 无机化合物 半导体 太阳电池 按材料 分类 单晶硅电池; 多晶硅电池; 非晶硅电池; 碲化镉电池; 铜铟硒电池等。 2021/2/11 * 太阳能电池的结构 2021/2/11 * 原理——光生伏特效应 实质——光能转换成电能 光生伏特效应 太阳电池工作原理与性能 2021/2/11 * PN结 内电场方向:N P 太阳能电池基本原理 2021/2/11 * a b c 半导体的能带和电子分布图 a 本征半导体 b n型半导体 c p型半导体 h Eg 2021/2/11 * 太阳电池工作原理与性能 5、光在内部深处被吸收,但由于能量小不产生电子空穴对,或不被吸收而透射出去,这部分是长波长的光,不产生光生电动势。 1、光在表面被反射; 2、光在表面被吸收生产电子-空穴对,但未到达PN结就被复合掉,这部分光大部分是吸收系数大的短波长的光; 3、光在pn结附件或在pn结上被吸收而产生电子空穴对,并扩散到pn结产生光电动势; 4、光在材料内部深处被吸收而产生电子空穴对,但到pn结之间就被复合; 2021/2/11 * 由于pn结势垒区内存在较强的内建势场（从n区指向p）,结两边的光生载流子受该电场作用,各自向相反的方向运动; p区的电子穿过p-n结进入n区,n区的的空穴进入p区,使p端的电势升高,n端的电势降低,于是在pn结两端形成了光生电动势,这就是pn结的光生伏特效应。 2021/2/11 * 产生光伏效应的三个条件 1、由光照而产生的电子-空穴对的浓度应超过他们在热平衡时的浓度; 2、过剩的异号电荷必须受到内建电场的作用,这种内建电场由pn结产生; 3、所产生的电子-空穴必须可漂移,并有一定长的寿命。 2021/2/11 * 太阳能电池重要参数 1、短路电流密度Jsc 2、开路电压Voc 3、填充因子FF 4、光电转换效率EFF 2021/2/11 * 太阳能电池的等效电路 1、短路电流密度Jsc:与光照面积及器件结构有关 2、开路电压Voc:由pn结扩散电位及材料的掺杂浓度、吸收层禁带宽度以及p层和n层材料的电子亲和势等决定。 3、填充因子FF:描述太阳能电池性能的重要参量; 影响因素:结特性,前后表面接触特性,构成器件的材料的点穴特性。 2021/2/11 * 太阳能电池的能量损失机理 ①为热损失; ②和③为P-N结和接触电压损失; ④为电子一空穴结合所造成的损失。 2021/2/11 * 太阳能电池的生产工艺过程 硅片的生产工艺过程 2021/2/11 * Wafer 2021/2/11 * 单晶硅生长 A pure silicon seed crystal pulled out slowly as it is rotated Si ingot Czochra