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模拟、数字及电力电子技术 第一章 半导体器件基础 第一节 半导体基础知识 一、本征半导体 1、半导体概念 半导体：其导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 本征半导体：完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体 。 2、本征半导体的晶体结构 在本征半导体中，原子按一定间隔排列成有规律的空间点阵（晶格） 。由于原子间相距很近，价电子不仅受到自身原子核的约束，还要受到相邻原子核的吸引，使得每个价电子为相邻原子共有，从而形成共价键。 3、本征半导体中的两种载流子的产生 在热力学温度零度时，共价键的电子受到原子核的吸引，不能自由移动，此时半导体不导电。 随着温度的上升， 共价键内电子因热激发而获得能量， 其中能量较高的电子挣脱共价键的束缚，成为 自由电子 。同时，在原来的共价键中留下一个空位 —— 空穴。 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱，其中空穴可看成带正电的载流子。 4、本征半导体中载流子的浓度 （ 1）、相关概念： 本征激发 ：本征半导体中成对产生自由电子和空穴的现象。 复合： 自由电子填入空穴，并释放出能量的过程。 （ 2）、载流子浓度的动态平衡： 在本征半导体中，由于本征激发不断产生电子、空穴对，使载流子浓度增加。同时，又由于正负电荷相吸引，自由电子和空穴复合。 在一定温度下，当没有其它能量存在时，电子、空穴对的产生和复合最终达到一种热平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度保持一定。 1 逾梦誓约 模拟、数字及电力电子技术 二、杂质半导体 1、 N 型半导体 (Negative) 在硅（或锗）的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑、 砷等，即构成 N 型半导体 (或称电子型半导体 )。本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。 杂质原子 最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键， 多余一个电子 只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，所以电子称为多数载流子 (简称多子 )， 空穴称为少数 载流子 (简称少子 )，5 价杂质原子称为 施主原子 。 2、 P 型半导体（ Positive） 在硅（或锗）的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟 等。杂质原子代替了晶格中的某些硅原子，它的三个价电子和相邻 的四个硅原子组成共价键时，只有三个共价键是完整的，于是自然 会出现空穴。 P 型半导体中， 空穴浓度多于电子浓度，空穴为多数载流子， 电 子为少数载流子， 3 价杂质原子称为 受主原子 。 3、说明： a、掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 b、杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 c、杂质半导体的表示方法如下图所示。 三、 PN 结 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域 的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 1、 PN 结中载流子的运动 P 区一侧多子是空穴， N 区一侧多子是自由电子，所以在它们的交界面处存在空穴和电 子的浓度差，由此而引起的多数载流子的运动，称为 扩散运动 。实际上， N 区中的自由电子 P 区移动，这样在 P 区和 N 区分别留下了不能移动的 受主负离子 和施主正离子 。结果再界面的两侧形成了由正负离子组成的 空间电荷区 ，同时产生一个 内电场。 2 逾梦誓约 模拟、数字及电力电子技术 2、扩散与漂移的动态平衡 在内电场的作用下少数载流子的运动称为 漂移运动 。随着扩散运动的不断增强，界面两侧显露的正、负离子逐渐增多，空间电荷区展宽，内电场不断增强，漂移运动随之增强。 当扩散力被电场力抵消时，扩散和漂移运动达到动态平衡，通过界面的净载流子数为零。 平衡时，空间电荷区的宽度一定， 由于空间电荷区没有载流 子，所以空间电荷区又称 耗尽区（层）。又因为内电场对扩散有阻挡作用，所以又称空间电荷区为阻挡区 或势垒区。 3、 PN 结的单向导电性 PN 结外加正向电压时处于导通状态，又称正向偏置，简称正偏。在 PN 结加上一个很 小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。 PN 结外加反向电压时处于截止状态 (反偏 )。反向接法时，外电场与内电场的方向一致， 增强了内电场的作用；外电场使空间电荷区变宽，不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移 电流大于扩散电流，电路中产生反向电流 I 。由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常 小。 4、 PN 结的电流方程 PN 结所加端电压 u 与流过的电流 i 的关系为： u i I s (e U T - 1） I S :反向饱和电流 U T :温度的电压当量 5、 PN 结的伏