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51 单片机复位电路及复位后寄存器的状态
51 单片机复位电路
当 MCS-5l 系列单片机的复位引脚 RST(全称 RESET)出现 2 个机器周期以上的高电平时, 单片
机就执行复位操作。如果 RST持续为高电平,单片机就处于循环复位状态。
根据应用的要求,复位操作通常有两种基本形式:上电复位和上电或开关复位。
上电复位要求接通电源后,自动实现复位操作。常用的上电复位电路如下图 A 中左图所示。
图中电容 C1 和电阻 R1 对电源十 5V 来说构成微分电路。 上电后, 保持 RST一段高电平时间,
由于单片机内的等效电阻的作用,不用图中电阻 R1,也能达到上电复位的操作功能,如下
图(A) 中右图所示。
上电或开关复位要求电源接通后, 单片机自动复位, 并且在单片机运行期间, 用开关操作也
能使单片机复位。 常用的上电或开关复位电路如上图 (B) 所示。 上电后, 由于电容 C3 的充电
和反相门的作用,使 RST持续一段时间的高电平。当单片机已在运行当中时,按下复位键 K
后松开,也能使 RST为一段时间的高电平,从而实现上电或开关复位的操作。
根据实际操作的经验,下面给出这两种复位电路的电容、电阻参考值。
上图 (A) 中: Cl =10-30uF ,R1=1kO
上图 1.27(B) 中: C:= 1uF,Rl =lkO , R2=10kO
单片机复位后的状态:
单片机的复位操作使单片机进入初始化状态,其中包括使程序计数器 PC=0000H,这表明程
序从 0000H 地址单元开始执行。 单片机冷启动后, 片内 RAM为随机值, 运行中的复位操作不
改变片内 RAM区中的内容, 21 个特殊功能寄存器复位后的状态为确定值,见下表。
值得指出的是, 记住一些特殊功能寄存器复位后的主要状态, 对于了解单片机的初态, 减少
应用程序中的韧始化部分是十分必要的。
说明:表中符号 * 为随机状态;
A=00H,表明累加器已被清零;
特殊功能寄存器 初始状态 特殊功能寄存器 初始状态
A 00H TMOD 00H
B 00H TCON 00H
PSW 00H TH0 00H
SP 07H TL0 00H
DPL 00H TH1 00H
DPH 00H TL1 00H
P0~P3 FFH SBUF 不定
IP ***00000B SCON 00H
IE 0**00000B PCON 0*******B
PSW=00H,表明选寄存器 0 组为工作寄存器组;
SP=07H,表明堆栈指针指向片内 RAM 07H字节单元,根据堆栈操作的先加后压法则,第一
个被压入的内容写入到 08H 单元中;
Po-P3=FFH,表明已向各端口线写入 1,此时,各端口既可用于输入又可用于输出;
IP =××× 00000B,表明各个中断源处于低优先级;
IE =0 ××00000B,表明各个
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