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单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别
单片机运行时的数据都存在于 RAM ( 随机存储器中 , 在掉电后 RAM 中的数据
是无
法保留的 ,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢 ?这就需要使用 EEPROM 或
FLASHROM 等
存储器来实现。 在传统的单片机系统中 , 一般是在片外扩展存储器 , 单片机与存 储器之间通
过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本 ,同时在程序
开发上也要花
更多的心思。 在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内
部 FLASH 来
实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源 ,使用起来也更加方便。下面就详细介
绍 STC单
片机内置 EEPROM 及其使用方法。
flash 是用来放程序的 ,可以称之为程序存储器 ,可以擦出写入但是基本都是整 个
扇区进行的 .
一般来说 单片机里的 flash 都用于存放运行代码 ,在运行过程中不能改 ; EEPROM 是用来保存用户数据 ,运行过程中可以改变 ,比如一个时钟的闹铃时
间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕
掉电 ,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00
下面是网上详细的说法 ,感觉不错 :
FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作 , EEPROM 则按字节操
作 , 二者寻址方法不同 ,存储单元的结构也不同 , FLASH 的电路结构较简单 ,同样 容量占芯片面积较小 ,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器 , EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。 当然用 FLASH 做数据存储器也行 , 但操作比
EEPROM 麻烦的多 ,所以更 “人性化 ”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器 ,而廉价型设计往往只有 FLASH , 早期可电擦写 型 MCU 则都是 EEPRM 结构 ,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中 , FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同 ,地址空间也不同 ,操作方法和指令自然也不同 , 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上 , 程 序存储器和非易失数据存储器都可以只用 FALSH 结构或 EEPROM 结构 , 甚至可 以用“变通 ”的技术手段在程序存储区模拟 “数据存储区 ”但,就算如此 ,概念 上二者依然不同 ,这是基本常识问题。
EEPROM :电可擦除可编程只读存储器 , Flash 的操作特性完全符合 EEPROM
的 定义 ,属 EEPROM 无疑 ,首款 Flash 推出时其数据手册上也清楚的标明是 EEPROM ,现在的多数 Flash 手册上也是这么标明的 ,二者的关系是 “白马 ”和
“马 ”。 至于为什么业界要区分二者 , 主要的原因是 Flash EEPROM 的操作方法和传统 EEPROM 截然不同 ,次要的原因是为了语言的简练 ,非正式文件和口语 中 Flash EEPROM 就简称为 Flash , 这里要强调的是白马的 “白”属性而非其 “马”属性以区别 Flash 和传统 EEPROM 。
Flash 的特点是结构简单 , 同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数
据量
下的操作速度更快 ,但缺点是操作过程麻烦 ,特别是在 小数据量反复重写时 , 所以在 MCU 中 Flash 结构适于不需频繁改写的程序存储 器。
很多应用中 ,需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失 ,传统结构的 EEPROM 在此非常适合 , 所以很多 MCU 内部设计了两种 EEPROM 结构 , FLASH
的和传统的以期获得成本和功能的均衡 , 这极大的方便了使用者。 随着 ISP 、 IAP
的流行 ,特别是在程序存储地址空间和数据存储地址空间重叠的 MCU 系中 ,现 在越来越多的 MCU 生产商用支持 IAP 的程序存储器来模拟 EEPROM 对应的数 据存储
器 , 这是低成本下实现非易失数据存储器的一种变通方法。 为在商业宣传 上取得和双 EEPROM 工艺的 “等效 ”性 ,不少采用 Flash 程序存储器 “模拟 ” 注(意 ,技术概念上并非真正的模拟 EEPROM 数据存储器的厂家纷纷宣称其 产品是带 EEPROM 的,严格说 ,这是非常不严谨的 ,但商人有商人的目的和方 法,用 Flash “模拟 ” EEPROM可以获取更大商业利益 ,所以在事实上 ,技术概 念混淆的始作俑者正是他们。
从成本上讲 , 用 Flash 模“拟 ” EEPROM是合算的 , 反之不会有人干 , 用 EEPROM
模拟 Flash 是怎么回事呢 ?这可能
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