第二章1-晶体管.pptVIP

2021/3/14 * IC ICmax (=2mA) , 管子工作在放大区。 IC UCE IB VCC RB VBB C B E RC VBE VBB =5V时: BE结正偏 管子工作在饱和区,此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 返回 2021/3/14 * 作业 2.1.2 2.1.3 2.1.6 2.1.7(a、c、e） 2.1.8 2.1.15 思考: 2.1.10 2.1.11 2.1.14 * 《通信电路原理》(2000.9~2000.12) 2021/3/14 * iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中vCE?vBE,集电结正偏,??iBiC， vCE较小,称为饱和区。 例3 特点 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 vCE=vBE 2021/3/14 * 2.1.2晶体管的静态特性曲线 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : iB≤0, iC≤ICEO, vBE 死区电压,称为截止区。 特点 二.共射输出特性曲线 2021/3/14 * （1）放大区:发射结正偏,集电结反偏。 输出特性三个工作区域的特点: (2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:vCE?vBE ， ??iBiC，vCE?0.3V (3) 截止区: vBE 死区电压, iB≤0 ， iC≤ICEO ?0 输出特性 即： , 且 ?IC = ? ? IB 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 2021/3/14 * 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 考虑到基区宽度调制效应和集电结反向击穿效应,输出特性如下: 2021/3/14 * 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 输出特性斜率的倒数为晶体管的输出电阻: 2021/3/14 * 关于 和 的关系 关于晶体管的反向应用 二.共射输出特性曲线 2.1.2晶体管的静态特性曲线 2021/3/14 * 与二极管的伏安特性曲线类似,如果保持输入电流不变，当温度升高时，晶体管的输入特性曲线左移。 第一节 双极型晶体管 2.1.3 温度对晶体管特性的影响 (v) iB (μA) 100 80 60 40 20 0 0.4 0.7 vBE 0o 10o 不同温度下的输入特性曲线 100o 2021/3/14 * 与二极管伏安特性曲线类似,温度升高时，反向饱和电流和反向穿透电流亦升高。 温度升高时， 值增大. 第一节 双极型晶体管 2.1.3 温度对晶体管特性的影响 }30μA }20μA }10μA — 25度； 45度 iB相同 不同温度下的输出特性曲线 （mA） iC VCE } 0μA 2021/3/14 * 1、共发射极 直流电流放大倍数 第一节 双极型晶体管 2.1.4 晶体管的主要参数 一.电流放大系数 2021/3/14 * 交流（短路）电流放大系数 2.1.4晶体管的主要参数 1、共发射极 一.电流放大系数 手册中常用hfe表示。 2021/3/14 * 例:VCE=6V时:iB = 40 ?A, iC =1.5 mA; iB = 60 ?A, iC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 2021/3/14 * 2、共基极 直流电流放大倍数 交流电流放大系数 2.1.4晶体管的主要参数 一.电流放大系数 2021/3/14 * 1、集电极—基极反向电流:ICBO 发射极开路时的集电结反向漂移电流,一般很小。 2.1.4晶体管的主要参数 二.极间反向电流 2021/3/14 * 2、集电极—发射极电流ICEO 硅管比锗管的反向电流小,故温度稳定性比锗管好。 基极开路时的集电极电流。 ICEO=（1+ β）ICBO 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 ICEO 2.1.4晶体管的主要参数 二.极间反向电流 2021/3/14 * 3、发射极—基极反向电流IEBO 集电极开路时的发射结反向饱和电流。 2.1.4晶体管的主要参数 二.极间反向电流 2021/3/14 * 1、集电极最大允许电流 ICM 三极管工作时不允许超过的最大集电极电流,如果超过，不但会使其性能变坏，而且可能损坏管子。 2.1.4晶体管的主要参数 三.极限参数 一般取