西工大微电子制造工艺概论总结.docxVIP

第1章单晶硅特点 ?硅材料的优点: 原料充分，占地壳25%,沙子是硅在自然界屮存在的主要形式； 硅晶体表而易于牛长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、 性质很重要； 密度只有2. 33g/cm3,是错/种化稼的43. 8%,用于航空、航天; 热学特性好,线热膨胀系数小，2. 5* 10-6/°C ,热导率高,1.50W/cm- °C, 芯片散热； 单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好，H前16英寸； 机械性能良好，MEMS。 2?硅中的点缺陷、线缺陷:N 2?硅中的点缺陷、线缺陷: N ve~Ev/kT N te用滑移矢量表征滑移量大小和方向。缺陷附近共价键被压缩=1A亠 N te 用滑移矢量表征滑移量大小和方向。 缺陷附近共价键被压缩 =1 A亠■ 1、拉长2、悬挂3,存在应力 （1）点缺陷 本征缺陷（晶体中原子由于热运动） 空位A：晶格硅原子位置上出现空缺； 自填隙原子B :硅原子不在晶格位置上，而处在晶 格位置之间。 杂质（非本征缺陷：硅以外的其它原子进入硅晶体） 替位杂质C 填隙杂质D 肖特基缺陷：空位缺陷； 弗伦克尔（Frenkel）缺陷：原子热运动脱离晶格位置进入晶格乞间，形 成的空穴和自填隙的组合； 填隙杂质：在微电子工艺屮是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整 性，引起点阵的畸变，但对半导体晶体的电学性质影响不大； 替位杂质：通常是在微电子工艺屮有意掺入的杂质。例如，硅晶体屮掺入 III、V族替位杂质，H的是调节硅晶体的电导率；掺入贵金属Au等，H的是在 硅晶体屮添加载流子复合屮心，缩短载流子寿命。 （2）线缺陷 线缺陷最常见的就是位错。位错附近，原子排列偏离了严格的周期性，相 对位置发牛了错乱。 位错可看成由滑移形成，滑移后两部分晶体重新吻合。在交界处形成位错。 位错主要有刃位错和螺位错 刃（形）位错：晶体屮插入了一列原子或一个原子面，位错线AB与滑移矢量 垂直； 螺（旋）位错：一族平行晶面变成单个晶面所组成的螺旋阶梯，位错线AD与 滑移矢量平行。 刃形位错的两种运动方式：滑移和攀移。 硅晶体的双层密排面间原子价键密度最小，结合最弱，滑移常沿｛111｝面发牛, 位错线也就常在｛111｝晶面之间。该面称为滑移面。 半导体材料多以掺杂混合物状态出现,杂质分为有意掺入的和无意掺入的。 半导体材料多以掺杂混合物状态出现, 杂质分为有意掺入的和无意掺入的。 有意掺入Si屮的杂质有III、VA族硼、磷、神、锐。故意杂质一-般能替代硅原 子，占据晶格位置，在适当的温度下电离牛成自由电子或空穴，能改变硅晶体的 电学特性，具有电活性。 无意掺入Si屮的杂质有氧，碳等。 间隙式杂质：主要是I和V111族元素，有：血、K、Li、H等，它们通常无电 活性，在硅屮以间隙方式扩散，扩散速率快。 替位式杂质：主要是III和V族元素，具有电活性，在硅屮有较高的固溶度。 以替位方式扩散为主，也存在］可隙-替位式扩散，扩散速率慢，称为慢扩散杂质。 ③间隙一替位式杂质:大多数过渡元素：Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等。都以 ③间隙一替位式杂质: 间隙-替位方式扩散，约比替位扩散快五六个数量级，最终位于间隙和替位这两 种位置，位于间隙的杂质无屯活性，位于替位的杂质具有屯活性。 共价键内的电子称为束缚电子。 挣脱原子核束缚的电子称为自由电子。 T二0K且无外界激发，只有束缚电子，没有自由电子，木征半导体相当于绝缘 体。 T=300K,本征激发，少量束缚电子摆脱共价键成为自由电子。 掺入杂质的本征半导体。掺杂后半导体的导电率大为提高。 掺入三价元素，如B,形成P型半导体，也称空穴型半导体。 因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称 为受主杂质。空穴是多子（杂质、热激发），自由电子是少子（热激发）。 掺入五价元素，如P,形成N型半导体，也称电子型半导体。 由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由 电子而带正电荷成为正离子。自由电子是多子（杂质、热激发），空穴是少子（热 激发）。 IIL V族电活性杂质主要有：硼、磷、帥，锐等浅能级杂质 金等杂质在室温时难以电离，多数尢电活性，是复合屮心，具有降低硅屮载流 子寿命的作用，是深能级杂质 不同类型杂质对导电能力相互抵消的现象叫杂质补偿。 一种元索B（溶质）引入到另一种元索A（溶剂）晶体中吋，在达到一定浓度之前, 不会有新相产牛，仍保持原A晶体结构，这样的晶体称为固溶体。 …定温度，朵质在晶体屮具有最大平衡浓度，这…平衡浓度就称为该杂质B 在晶体A屮的固溶度。 第2章硅片的制备 1?多晶硅的制备过稈 箱英沙一迨金级硅） 制备多晶硅，石英砂（硅石）通过冶炼得到冶金级硅（MGS）,再经过一系列的 提纯工艺得到电子级硅（EGS）,然后由电子级多