电子技术课件-半导体器件.pptVIP

20XX年复习资料;一、本课程的有关知识 二、本课程的性质和特点 三、本课程的基本要求 四、本课程的学习方法; 电子技术又名电子学，它是一门研究各种电子器件、电子电路及其应用的学科。 电子技术包括模拟电子技术和数字电子技术两大分支，缺一不可。 处理模拟信号的电子电路叫模拟电子电路。 处理数字信号的电子电路叫数字电子电路。;研究内容 以器件(二极管、三极管等)为基础、以信号为主线，研究各种电子电路的工作原理、特点及性能指标等。;性质 是一门技术基础课。 特点 ⑴ 实践性很强； ⑵ 以工程实践的观点和方法来处理电路中的一些问题。;1. 掌握电子技术的基本理论、基本知识、基本技能，为后续课程打好基础。 2. 掌握各种功能电路的组成原理及其性能特点。 3. 熟悉电子器件（包括组件）、基本电子电路及其构成的应用系统。 4. 能够对较简单的单元电路进行设计，具有电子技术应用的基本能力。;即要求四会： 会看：看懂电路 会算：定性定量分析 会选：会选元件 会用：到实验室进行实践; 1.态度认真: 2.重视基本知识： 3.敢于动手，大胆实践: 4.善于思考、总结 ;第一章 半导体器件;; 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;1.1.2 本征半导体;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构;形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。;二、本征半导体的导电机理;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;1.1.3 杂质半导体;一、N 型半导体;;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;1.1.4 PN 结的形成;;所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。;;1、空间电荷区中没有载流子。 2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。 3、P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少），数量有限，因此由它们形成的电流很小。;1.1.5 PN结的单向导电性;;二、PN 结反向偏置; P型半导体和N型半导体的多数载流子分别为什么？ P型半导体和N型半导体是否显电性？ PN结中内电场的方向，其对多子的扩散和少子的漂移起何作用？ PN结的特性？当PN结正偏时，外电场与内电场的关系，PN结的变化情况？当PN结反偏时又如何？;§ 1.2 半导体二极管;点接触型;; 二、伏安特性;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;三、主要参数;3. 最大反向电流 IRM;;二极管的电路符号及其伏安特性。 硅二极管和锗二极管的开启电压和正向压降分别为多少？ 二极管的单向导电性及其在电路中的应用。（消波电路、门电路）;§ 1.3 稳压二极管;二、主要参数;5. 电压温度系数 αU;分析简单稳压电路的工作原理， R 为限流电阻。;;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;掌握图1.3.2电路的分析方法。 稳压二极管一般工作在反向击穿状态，需满足反向电压等于稳定电压，工作电流大于IZ并小于IZM。;1.4.1 晶体三极管;1.4.1 晶体三极管;*;分类：;一、电流放大原理;3. 三极管内部载流子的传输过程;I CN;4. 三极管的电流分配关系;;1.4.2 晶体三极管的特性曲线;O;二、输出特性;;3. 饱和区：;当USB =-2V时：;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管工作在哪个区？;USB =5V时:;三、温度对特性曲线的影响;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。;1.4.3 晶体三极管的主要参数;二、极间反向饱和电流;三、极限参数;3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 一般根据电源电压Ucc来选取U(BR)CEO，应使 U(BR)CEO ≥(2~3) Ucc;如何区分NPN和PNP型晶体管？各自的电路符号？ 如何判断晶体管处于何种状态？ 晶体管处于放大区时，三个电极电流的相互关系？ 了解晶体管的输入特性曲线和输出特性曲线？;1.6.1 发光二极管(LED);1.6.2 光电二极管;发光二极管和光电二极管的电路符号;第 1 章 小结;一、两种半导体和两种载流子;iD;晶体三极管;放 大 条 件;4