晶体生长方法简介讲解.pptVIP

Silicon crystal growth ?? 1 晶体生长概述 ?? 2 从固相中生长晶体 ?? 3 从溶液中生长晶体 ?? 4 从熔融液中生长晶体 ?? ?? 5 从气相中生长晶体 晶体生长 重点：溶液法、水热和溶剂热法生长晶体。 难点：水热和溶剂热合成晶体的机理研究。 Important crystals ? 晶体特别是单晶广泛应用于各个高新科技领域： ? 激光工作物质： YAG (Y 3 Al 5 O 12 ) ? 非线性光学晶体： KDP(KH 2 PO 4 ) 、 BBO( β - BaB 2 O 4 ) 、 ? LBO(LiB 3 O 5 ) 、 CBO(CsB 3 O 5 ) 、 LCB(La 2 CaB 10 O 19 ) ? 闪烁晶体： BGO (Bi 4 Ge 3 O 12 ) 、 PbWO 3 ? 磁性材料： R 3 Fe 5 O 12 、 (Te,Dy)Fe 2 ? 半导体材料： Si 、 Ge 、 GaAs 、 GaN ? 超硬材料：金刚石、立方氮化硼， Various synthetic crystals Conditions to grow high quality crystals ? (1) 反应体系的温度要控制得均匀一致 ，以防止 局部过冷或过热，影响晶体的成核和生长； ? (2) 结晶过程要尽可能地慢 ，以防止自发成核的 出现，因为一旦出现自发的晶核，就会生成许 多细小品体，阻碍晶体长大； ? (3) 使降温速度与晶体成核、生长速度相配匹 ， 使晶体生长得均匀、晶体中没有浓度梯度、组 成不偏离化学整比性。 Advantages of growing crystals from solid phase 从固相中生长晶体的主要优点在于： ? 1) 可以在不添加组分的情况下 较低温进行生长 ， 即在 熔点以下的温度 下生长； ? 2) 生长晶体的 形状是事先固定 的，所以丝、箔等 形状的晶体容易生长出来； ? 3) 取向 常常容易得到控制； ? 4) 除脱溶以外的固相生长中， 杂质和其他添加组 分 的分布在生长前被固定下来，并且不被生长 过程所改变 ( 除稍微被 相当慢的扩散 所改变外 ) 。 Crystals from solid phase (recrystallization) ? 从固相中生长晶体的方法主要有五种： ? (1) 利用退火消除应变的再结晶； ? (2) 利用烧结的再结晶； ? (3) 利用多形性转变的再结晶； ? (4) 利用退玻璃化的结晶作用； ? (5) 利用固态沉淀的再结晶 ( 有时称作脱溶 生长，此法尚未用于单晶生长 ) 。 1. 利用退火消除应变的再结晶 ? 大部分利用应变 — 退火生长的晶体是 金属单晶 。 ? 例如：由于 铝 的熔点低(660℃)，对金属铝的再结 晶和晶粒长大有许多研究。在施加临界应变和退 火生长过程前，铝的晶粒尺寸大约为 0.1mm 。对 99.99% 的铝采用交替施加 应变和退火 的方法，获 得了直径为 5mm 的晶粒。也有研究利用诱导晶界迁 移制取了宽为 2.5cm 的高纯度单晶铝带。 ? 用应变 — 退火的方法生长晶体的除铝以外，对铜、 金、铁、钼、铌、钽、钍、钛、钨、铀及铜合金、 铁合金等均有报导。 2 ．利用烧结生长 ? 烧结 这个词通常仅用于非金属中晶粒的长大。如 果在加热多晶金属时观察到晶粒长大，该过程一 般被称作 应变 — 退火 的一种特殊情况。 ? 在 1450 ℃以上烧结多晶钇铁石榴石 Y 3 Fe 5 O 12 可以 得到 5mm 大的石榴石晶体。利用烧结法对铜锰铁 氧体、 BeO 、 Al 2 O 3 等均观察到晶粒长大。发现 气 孔 、 添加物 、 原始晶粒 的尺寸等也均影响烧结生 长晶体。 ? 如果在热压中升高温度，烧结所引起的晶体长大 将更为显著。热压生长 MgO 、 Al 2 O 3 、 ZnWO 4 等 得到很大的成功 , 可以采用这一技术生长出达 7cm 3 的 Al 2 O 3 晶体。 3 ．借助多形性转变生长 ? 先生长出高温多形体，然后小心地使炉温降至室 温，并形成室温多形体单晶。有时需要借助 淬火 高 温相“冻结”起来。 ? 对于大多数高压多形性转变，相变进行得很快， 往以一种 不可控制 的方式进行。因此，利用高压多 性转变较难生长出