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电一力一声 类比 引言：电一力一声类比是应用电路理论来解决力学与声学问题。 定义：根据描述电振荡系统的微分方程和描述力学振动系统及声振动系统的微分方程在 形式上的相似性，常将力学量和声学量与相应的电学量作类比， 以便借助电路理论来分析力 学振动和声振动的规律，称电一力一声类比。 类比方法有二种：一种为阻抗型类比， 也称正类比；另一种为导纳型类比， 也称反类比。 § 5-1电路元件及基本的电振荡器 在电学系统的分析中， 经常用电路图来描述元件与元件之间的关系， 从而研究电磁运动 的规律。通过电路分析，有时不必去求解微分方程，而能直接了解系统的工作情况和特点。 即使要作定量分析研究，通过形象的电路图，利用克希霍夫电路定律，再去建立微分方程， 也要简单得多。 电路图最容易应用于集中参数的系统， 因为集中参数元件的唯一变量是时间。 在电声学 研究的系统中（如电声换能器），在低频时，大都近似地等效成集中参数系统，只要采用类 比的办法，把力学或声学系统画成等效类比线路图， 然后利用电路理论来研究系统的工作情 况和特点。 基本电路元件: 电容元件:I1瞬态：E = C /I dt电感元件:E瞬态： 电容元件: I 1 瞬态：E = C /I dt 电感元件: E 瞬态：E= Le didt 1 I= L /Edt 电阻抗: 基本的电振荡器： （1）串联谐振电路: I Re I Re Le 如左图: I —电流（安培），E—电压（伏特） Ce Le—电感（享利），Ce—电容（法拉），Re—电阻（欧姆） 由上图可得：E= Rel+ Leddfdt1+ 由上图可得：E= Rel+ Leddf dt 1 + c /I dt 对于作简谐变化的稳态电流值有: I = Io ej 31 1 则：E= ReI + j 3 eI + - 7 j 3 e 式中Ze为串联回路的阻抗 I = (Re + j 3_e + 土 ) I = ZeI j 3 C Ze e1ReLeCe e1 Re Le Ce Le—为电感（享利）， Ce-为电容（法特）, Re-为电阻（欧姆） 由上图可得：1 = E +Re1 /Edt +Ce dEdt对于作简谐变化的电压有: 由上图可得：1 = E + Re 1 /Edt +Ce dE dt 对于作简谐变化的电压有: E=E0 ej 3’ _ 1 1 则：^R； +荷 E+ j 3書=( 旦+ Re 1 + j 3e + j 3Ce = 1 Ze E 丄=(丄+亠 Ze Re j 3 e ■ 1 3C = R +j( 3e-十) 3Le § 5-2力学元件和基本的力学振动系统: 1.力学元件: F表示外力F L F表示外力 F L M M Fr表示阻力 Km表示弹性系数 Fk表示弹性力 M M表示质点质量 Cm表示顺性系数 Rm Cm = 又称为力顺 Rm表示阻力系数，又称为力阻 Km 由牛顿第二定律得：F = ma 即 Mm% = F + Fk + Fr 1 其中：①弹性力：Fk根据虎克定律有：Fk= — Km E = — k j Vdt Cm E为质点M M离开平衡位置的位移，V为质点振动速度， 负号表示质点移的方向与弹性力方向相反 ②阻力： Fr= Fr= — Rm d二—RmV 式中负号表示阻力总是与系统的运动方向相反 。 .dv…M .dv …Mdt =F — C jVdt — RmV CM 二 F= Mj 二 F= M j Vdt M^t + RmV + 1RmC 1 Rm CM 并联谐振电路相比较: 与并联谐振电路比较+ 与并联谐振电路比较 + ￡ /Edt + Cedl F— I F— I , V — E , M M — Ce , RM — Re 1 ,CM — Le j 3t 对简谐作用力 F= F0 e F= M F= Mm： oV RmV + :C V = ( Rm + j wMm + : C )V = ZmV j 3(M J j wCl 、 1 称为力阻抗式中 ZM = RM + j oMm + : C 称为力阻抗 j ocm 1 Rm为力阻，j oMm称为质量抗，j CC称为弹性抗 j coim § 5-3两种力电类比及其相互转换: 串联谐振回路 并联谐振回路 dI 1 Led^ +Rel + C/I dt = 比较上面三个方程式：若把力阻抗 /Edt = I Zm类比于电阻抗Z e，称为阻抗型类比。对应类 比关系：F— E, Rm — R e , M m — L e , Cm — C 由此可得出力学振动系统的阻抗型类比线路图。 由图运用电路克希霍夫定律可直接列出方程。 而不必用力平衡的方法来得出。 V (I) “ F(E) — , Rm (Re) M m(L e) CM(Ce