薄膜成长技术.pptxVIP

薄膜成長或者稱薄膜沈積(Thin Film Deposition)技術，是指在一基板上(Substrate)成長一層同質(Homogeneous Structure)或者是異質(Hetero-structure)材料之技術。 金屬層、複晶矽薄膜(polycrystalline silicon)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)層都適用此種方法來沉積薄膜層。;4-1 薄膜沈積之原理;以LPCVD為例，要生成薄膜的材料是與爐管的溫度及注入爐管的氣體種類有關 爐管的溫度高於550℃＋SiH4→複晶矽薄膜 爐管的溫度約485℃ ＋Si2H6 →複晶矽薄膜 氧氣和SiH4在爐管內→二氧化矽(SiO2)層 氨氣和SiH2Cl2在爐管內→ Si3N4 ;物理氣相沈積方法，最常用的是金屬濺鍍機(Sputtering)和金屬蒸鍍機(Evaporation)最為典型也最為常用。 Sputtering ：藉助電漿產生之離子(如Ar)去撞擊電極靶源，始靶源之金屬沉積於基座上 如AlCuSi、W等 Evaporation ：把要蒸鍍的金屬置放在熔點極高的承載器，然後加溫至被蒸發金屬之熔點 如鋁線(Al)與金線(Au)之蒸鍍;電漿(plasma);薄膜沉積之機制;4-2 低壓力化學氣相沈積法 (Low Pressure Chemical Vapor  Depostitio