微电子工艺原理--第5讲-清洗工艺.ppt

2021/3/27 * 1 机器人自动清洗机 2021/3/27 * 1 清洗容器和载体 SC1/SPM/SC2 – 石英（ Quartz ）或 氟聚合物容器 HF – 优先使用氟聚合物,其他无色塑料容器也行。 硅片的载体 – 只能用氟聚合物或石英片架 2021/3/27 * 1 清洗设备 超声清洗 喷雾清洗 2021/3/27 * 1 洗刷器 水清洗＋干燥 溢流清洗 排空清洗 喷射清洗 加热去离子水清洗 旋转式甩干 IPA异丙醇蒸气干燥 2021/3/27 * 1 湿法清洗的问题（1） 表面粗糙度:清洗剂、金属污染对硅表面造成腐蚀,从而造成表面微粗糙化。SC-1中,NH4OH含量高,会对硅造成表面腐蚀和损伤。 降低沟道内载流子的迁移率,对热氧化生长的栅氧化物的质量、击穿电压都有破坏性的影响。 Ra(nm) Mixing ratio of NH4OH(A) in NH4OH+H2O2+H2O solution (A:1:5, A1) 降低微粗糙度的方法: 减少NH4OH的份额 降低清洗温度 减少清洗时间 2021/3/27 * 1 Wu et al., EDL 25, 289 (2004). SiGe-gate/high-k/SiGe pMOSFETs 2021/3/27 * 1 Surface roughness (nm) Surface roughness (nm) 不同清洗（腐蚀）方法与表面粗糙度 2021/3/27 * 1 Surface roughness (nm) Ebd (MV/cm) 表面粗糙度降低了击穿场强 2021/3/27 * 1 颗粒的产生 较难干燥 价格 化学废物的处理 和先进集成工艺的不相容 湿法清洗的问题（2） 2021/3/27 * 1 干法清洗工艺 气相化学,通常需激活能在低温下加强化学反应。 所需加入的能量,可以来自于等离子体,离子束,短波长辐射和加热,这些能量用以清洁表面,但必须避免对硅片的损伤 HF／H2O气相清洗 紫外一臭氧清洗法（UVOC） H2／Ar等离子清洗 热清洗 2021/3/27 * 1 其它方法举例 2021/3/27 * 1 其他去除污染物的方法之吸杂 把重金属离子和碱金属离子从有源区引导到不重要的区域。 器件正面的碱金属离子被吸杂到介质层（钝化层）,如PSG、Si3N4 硅片中的金属离子则被俘获到体硅中（本征吸杂）或硅片背面（非本征吸杂） PSG=Phosphosilicate Glass 磷硅酸盐玻璃 2021/3/27 * 1 硅中深能级杂质（SRH中心） 扩散系数大 容易被各种机械缺陷和化学陷阱区域俘获 2021/3/27 * 1 吸杂三步骤: 杂质元素从原有陷阱中被释放,成为可动原子 杂质元素扩散到吸杂中心 杂质元素被吸杂中心俘获 2021/3/27 * 1 高扩散系数＋间隙扩散方式＋聚集并占据非理想缺陷（陷阱）位置 深能级金属离子的吸杂: 2021/3/27 * 1 Aus＋I ? AuI 踢出机制 Aus ? AuI＋ V 分离机制 引入大量的硅间隙原子,可以使金Au和铂Pt等替位杂质转变为间隙杂质,扩散速度可以大大提高。 方法 高浓度磷扩散 离子注入损伤 SiO2的凝结析出 激活 ? 可动,增加扩散速度。替位原子 ? 间隙原子 2021/3/27 * 1 PSG——可以束缚碱金属离子成为稳定的化合物 超过室温的条件下,碱金属离子即可扩散进入PSG 超净工艺＋Si3N4钝化保护——抵挡碱金属离子的进入 其他金属离子的吸杂: 本征吸杂—— 使硅表面10－20mm范围内氧原子扩散到体硅内,而硅表面的氧原子浓度降低至10ppm以下。利用体硅中的SiO2的凝结成为吸杂中心。 非本征吸杂——利用在硅片背面形成损伤或生长一层多晶硅,制造缺陷成为吸杂中心。在器件制作过程中的一些高温处理步骤,吸杂自动完成。 碱金属离子的吸杂: 2021/3/27 * 1 本征吸杂工艺更易控制 造成的损伤范围大 距有源区更近 缺陷热稳定性好 方法:外延或热循环处理 外扩散 凝结成核 沉淀析出 2021/3/27 * 1 bipolar 2021/3/27 * 1 净化的三个层次:环境、硅片清洗、吸杂 本节课主要内容小结1 净化级别 高效净化 净化的必要性 器件：少子寿命?，VT改变，Ion? Ioff?，栅击穿电压?，可靠性? 电路：产率?，电路性能? 杂质种类：颗粒、有机物、金属、天然氧化层 强氧化 天然氧化层 HF:DI H2O 本征吸杂和非本征吸杂 2021/3/27 * 1 硅片清洗 湿法清洗:Piranha,RCA（SC－1,SC－2）,HF:H2O 干法清洗:气相化学 吸