第五章-半导体探测器.pptVIP

* * * * （1）半导体探测器得到的gamma谱与闪烁谱仪相比，发生了质的变化。 2021/3/26 * 由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制,耗尽层厚度为1～2mm。 对强穿透能力的辐射而言,探测效率受很大的局限。 P-N结半导体探测器存在的矛盾: 2021/3/26 * 10.3 锂漂移半导体探测器 1. 锂的漂移特性及P-I-N结 1) 间隙型杂质——Li Li为施主杂质,电离能很小 ～0.033eV Li＋漂移速度 当温度T 增大时,?(T)增大,Li+漂移速度增大。 2021/3/26 * 2) P-I-N结的形成 基体用P型半导体(因为极高纯度的材料多是P型的),例如掺硼的Si或Ge单晶。 (1) 一端表面蒸Li,Li离子化为Li+,形成PN结。 (2) 另一端表面蒸金属,引出电极。 外加电场,使Li+漂移。Li+与受主杂质(如Ga-)中和,并可实现自动补偿形成 I 区。 (3) 形成P-I-N结,未漂移补偿区仍为P,引出电极。 P N+ Intrinsic Semi Front metallization Ohmic back contact To positive bias voltage 由硅作为基体的探测器称为Si(Li)探测器,由锗作为基体的探测器称为Ge(Li)探测器。锂离子是用于漂移成探测器的唯