带隙基准电压源设计解析.docxVIP

0引言 基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据 采集系统以及A/D和D/A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产 生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个 具有低温度系数、高电源电压抑制的基准电压是整个系统设计的前提。 传统带隙 基准由于仅对晶体管基一射极电压进行一阶的温度补偿，忽略了曲率系数的影 响，产生的基准电压和温度仍然有较大的相干性，所以输出电压温度特性一般在 20 ppm/C以上，无法满足高精度的需要。 基于以上的要求，在此设计一种适合高精度应用场合的基准电压源。在传统带隙 基准的基础上利用工作在亚阈值区 MOS管电流的指数特性，提出一种新型二阶 曲率补偿方法。同时，为了尽可能减少电源电压波动对基准电压的影响，在设计 中除了对带隙电路的镜相电流源采用 cascode结构外还增加了高增益反馈回路。 在此，对电路原理进行了详细的阐述，并针对版图设计中应该的注意问题进行了 说明，最后给出了后仿真结果。 I电路设计 1. 1传统带隙基准分析 通常带隙基准电压是通过 PTAT电压和CTAT电压相加来获得的。由于双极型晶 体管的基一射极电压 Vbe呈负温度系数，而偏置在相同电流下不同面积的双极型 晶体管的基一射极电压之差呈正温度系数，在两者温度系数相同的情况下将二者 相加就得到一个与温度无关的基准电压。 传统带隙电路