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CMOS 工艺流程详解说！必看！今天偷个懒，网上下了个标准 CMOS 流程，给大家看 看，顺便简单介绍一下其中步骤，废话少说，直接开始。 CMOS 工艺流程介绍 1. 衬底选择： 选择合适的衬底， 或者外 延片，本流程是带外延的衬底；2. 延片，本流程是带外延的衬底； 2. 开始： Pad oxide 氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易 出问题；接着就淀积氮化硅。 A-A 层的光刻： STI （浅层隔离） 1） A-A 隔离区刻蚀：先将 hard mask 氮化硅和 oxide 起刻掉；（ 2） STI 槽刻蚀： Si3N4 的刻蚀菜单刻蚀硅速率过 快，不好控制，需要分开