1735--裴云庆教授丨氮化镓器件应用与集成化.docxVIP

氮化镓器件的应用与 集成化 裴云庆 西安交通大学 提纲 • 氮化镓器件的特性 • 氮化镓 • 功率回 • 基于氮化镓器件的集成化 GaN 和SiC材料性能的优势 • 宽禁带半导体材料 • GaN, SiC • GaN vs. Si材 • 禁带宽 • 击穿场强高 • 电子迁移速度快 Jose Millan, Philippe Godignon, Xavier Perpin`a, Amador Perez-Tomas, and Jose Rebollo. A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 29, NO. 5, MAY 2014 宽禁带材料器件的性能预期 • 通态电阻更低 • 开关速度更快 高电压GaN vs. Si MOSFET 导通 电阻 GaNSystems 击穿电压 *GaN Transistors for Efficient Power Conversion, April 22,2013, Design west, EPC Co. GaN器件的基本结构 • GaN器件导电的基本原理—二维电子气 （ 2 DEG ） GaN 导电的基本原理 *Documents from EPC, GaN Transistors for Efficient Power Conversion, April 22,2013, Design west, EPC Co. GaN器件的基本结构 • 耗尽型GaN器件（常通型） GaN器件的基本结构 • 常通型器件的问题 • 死循环 • 上电前控制电路需要先行通电，使GaN器件关断，否则就会造成短 路； • 电路中存在短路的情况下，控制电路的供电电路无法启动。 问题：常通型器件难以直接应用 常断型的GaN器件/Cascode（共栅）器件 Gate curves • From manufactures’ webpage and based on opened materials 常断型GaN器件——eGaN  通过凹槽切断栅极下方的2DEG， 使得器件在零栅压 下为关断状态。当正栅压增至大于阈值电压时，将在 栅界面处形成电子积累层以作为器件的导电沟道，器 件呈导通状态。 常断型GaN器件——eGaN 15-200V GaN Power IC CoolGaN 600V 600V GaN器件的适用范围 功率（Hz） 10M 1M Server Envelop 100k POL Adaptor/Charger EV On Board Charger 10W 100W 1000W 功率(W) GaN器件适用于中小功率、高开关频率的场合。 GaN器件的特性——低通态电阻 低电压GaN vs. Si MOSFET 高电压GaN vs. Si MOSFET GaNSystems Device EPC EPC2023 Si Mos BSC0500NSI 30V 1.3mW SuperSO8 5.15 x 5.95 EPC EPC2047 200V 10mW BGA 4.6 x 1.6 Si Mos IPB107N20N3G 200V 10.7mW TO-263 8.5x9.8 DieSize：5x6 eGaN器件特性——栅极电压VGS特性 • Vgs 击穿电压低于 Si MOSFET，电压容限小. • 阈值电压低，对噪声敏感. Si VGS 型号 BSC break 电压 栅极电压 -20 ~ +20 -4 ~ +6 -4 ~ +6 -10 ~ +7 VTH 阈值电压 1.2~2 0.7 ~ 2.5 0.8~2.5 1.1 ~ 2.6 0V 全导通电 压 4~5 4.5~5.5 4.5~5.5 6 电压裕量 15 0.5 0.5 1 eGaN的特性-结电容 (30V) • 结电容远小于硅器件 eGaN EPC2023 30V 1.45mW Si BSC0500NSI 30V 1.3mW eGaN的特性-结电容(200V) • 结电容远小于硅器件 eGaN EPC2047 200V 10mW Si IPB107N20N3 G 200V 10.7mW eGaN的特性-结电容(650V) IPB65R045C7 eGaN GS66508T 650V 63mW Si IPB65R045C7 650V 45mW GaN与Si器件性能比较 低电压GaN vs. Si MOSFET 高电压GaN vs. Si MOSFET EPC GaNSystems Device Vds R EPC EPC2023 30V 1 Si Mos 30V 1 BSC05