(廖冬初_聂汉平)电力电子技术课后_答案_华科出版(1).docxVIP

第一章电力电子囲件 1.1使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使品的管导通的条件足：品闸骨承受正相阳极电压?并在门极施加触发电流（脉冲）。或者Uak0且UgQO 1.2維持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使品闸管由导通变为关斷？ 答：维持品闸管导通的条件足使品倒管的电流人于能保持品闸管导通的谥小电流.即维持电流。 13图1一43中阴形部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电涼最大值均为* ,试计算各波形的电流平均值1血3、3与电涼有效值 解:a)b))=0.2717 Im—(4 Imsin(tyr)ld.= 2 解:a) b) )=0.2717 Im —(4 Imsin(tyr) ld.= 2龙匚 j￡E（Imsin“如）弓占+霜 = 0.4767 Im I .Jr —LlmsinCTJ(vvf) = —(^- + 1) = 0.5434Im b)2 2 b) 2~ V4 2?^IpdmsiH r/(M7)= 211121 + _L =0.6741 Im 2~ V4 2? - $ Imd伽)=斗 Im 14上题中如果不考虑安全裕量?问100A的晶阐管能送出的平均电流 皿I込1山各为多少？这时，相应的电流廉大值h讥1臥各为多少？ 解:额定电流Itav=100A的品闸管. 允许的电潦有效值1=157A.由匕题计算结果如 ■ 1仝 = 329.35 a) Imi 0.4767 A. ldi% 0.27171^^89.^ b) 、/ 心 0-6741 1232.904, 0.5434 Zir2 126.564 丄人产78.5 c) 321=314 T 15 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构?为什么GTO能够自关斷?而普通晶闸管不陡？ 答:GTO和普通品闸管同为PNPN结构.由P1N1P2和NIP2N2构成两个品体管VI. V2.分别具有共基极电流増益°】和 血,由普通品爾管的分 析对績 al+a2 = l足器件临界导通的条件.al + o2!两个等效品体管过饱和而导通：cd + a2l不能维持饱和导通而关斯。 GTOZ所以能够自行关断.而普通品闸管不能.足因为GTO与晋通晶倒管在设计和工艺方面有以卜几点不同： DGTO在设计时血较人.这样品体管V2控制灵敏.易干GTO关斯： 2KJTO导通时Q1 + 2的更接近于1.普通品闸管l+a2ni?5.而gto则为al+a2al?05. gto的饱和程度不鴻 接近于临界饱 和.这样为门极控制关断捉供了有利条件： 3）多元集成结构使毎个GTO尤阴极而积很小?门极和阴极间的甌离人为缩短.使紂P2极区所谓的横向电阻很小.从而使从门极抽岀较人的电 流成为町能。 1?6?如何防止电力MOSEET因静电够应应起的损坏？ 答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱.容易皱击穿而损坏。MOSEET的输入电客是低滩迴电容?当栅极开路时极易受能电干扰而充上超过士20的 击穿电压?所以为防止MOSHET因静电感应而引起的损坏.应注恿以卜几点： 一般在不用时将其三个电极短接: 装配时人体、工作台.电烙铁必须按地?测试时所有仪器外充必须援地： 电路中.栅.源极何密井联齐纳二极管以防止电圧过奇： 氟 源极闻也要采取缓冲电路等措施吸收过电圧。 1.7JGBT. GTR、GTO和电力MOSFE1的驱动电路各有什么特点？ 答：1GBT驰动电路的特点是:驰动电路具有较小的输出电阻.IGBT足电压駆动型器件?IGBT的驱动多采用实用的混合集成駆动器。 GTR驰动电路的待点足：驱动电路握供的驰动电流冇足够徒的曲沿.井有一定的过冲.这样对加速开通过程.减小开通损耗：关断时?驱动电路 能捉供幅值足够大的反向基极驱动电滾.并加反偏竝止电压.以加速关断連度. GTO驱动电路的持点是：GTO要求其驰动电路提供的驰动电流的前沿应有足够的幅值和陡度.且一股需要在整个导轴期间施加正门极电流.关断 需施加负门极电流.幅（ft和陡度耍求更窩.其驰动电路通密包括开通駆动电路.关斯驱动电路和门极反偏电路三部分. 电力MOSFET驱动电路的待点：要求駆动电路貝有较小的输入电阻?驰动功率小且电路简单。 1?8?全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作用. 答：全控型器件缓冲电路的主要作用足抑制器件的因过电压? du/di或过电流和di/dt.. ?小器件的开关拐粮 RCD缓冲电路中.各元件的作用是:开通时.G经Rs放电,Rs起到限制放电电流的作用:关断时.员载电潦经VDs从Cs分潦.使du/di减小. 抑制过电压。 1?9?试说明1GBT、GTR. GTO和电力MOSFF7I各自的优缺点 解:对I GBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如卜赛 器件 优点 缺点 1GBT 开关速度奇.开关损耗小.具有耐脉 冲电流冲击