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可控硅参数说明及中英文对照表 符号英文单词参数中文参数说明 符号 英文单词参数 中文参数 说明 AVERAGE AVERAGE 国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度 为40oC和规定的冷却状态下， 稳定结温不超 过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半 波电流的平均值。这也是标称其额定电流的 参数。同电力二极管一样，这个参数是按照 IT(AV) ON-STATE正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热 通态平均电流 IT(AV) ON-STATE 效应来定义的。因此在使用时同样应按照实 CURRENT 际波形的电流与通态平均电流所造成的发热 效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸 管的此项电流定额，并应留一定的裕量。 般其通态平均电流为按此原则所得计算结果 的1.5-2倍。 指器件通过规定正向峰值电流 IFM（整流管） VTMP eak on-state通态峰值电压voltage drop或通态峰值电流ITM（ VTM P eak on-state 通态峰值电压 voltage drop 或通态峰值电流ITM（晶闸管）时的峰值电压 也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态 损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。 IDRM Maximumforward 断态重复峰值 为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电 mA or reverse leakage current 漏电流 压Mrm和反向重复峰值电压 Vrrm时流过元件的 正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的 最咼结温Tjm下测出。 mA IRRM Maximumreverse leakage current 反向重复峰值 漏电流 IDSM 断态不重复平 均电流 门极断路时，在额定结温下对应于断态不重 复峰值电压下的平均漏电流。 A VTO On state threshold voltage 门 槛电压 - / ?On-State RMS IT(RMS) Current (full sine wave) 通态电流均方 值 - A ITSM ?No n-Re petitiv e P eak on-state Curre nt 通态浪涌电流 （通态不重复峰 值电流） 浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结 温超过额疋结温的不重复性最大正向过载电 流。浪涌电流有上下两个级，这个参数可用 来作为设计保护电路的依据。 A IGM ?Forward Peak Gate Curre nt 门极峰值电流 - A  dIT/dtVDRM?Circuit Fus ingCon siderati on?Re petitiverate of rise ofon-statecurre nt aftertriggeri ng(IGT1?IGT3)?Re petitiveP eak off-statevoltage周期电流平方时间积通态流上升率断态重复峰值电压当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限,即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使 T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联 dIT/dt VDRM ?Circuit Fus ing Con siderati on ?Re petitive rate of rise of on-state curre nt after triggeri ng (IGT1?IGT3) ?Re petitive P eak off-state voltage 周期电流平方 时间积 通态流上升率 断态重复峰值 电压 当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导 通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至 整个有效面积。这迟后的时间有一个极限, 即负载电流上升率的许可值。过高的 dIT/dt可能导致局部烧毁，并使 T1-T2短 路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的 值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如 双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源 瞬间过程中有可能被超出或导通时的 dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联 个几uH的不饱和（空心）电感。 ?断态重复峰值电压是在门极断路而结温为 额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值 电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时 间不超高10ms规定断态重复峰值电压 DRM 为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电 Ase A/ (1 s 压）UDSM勺90%.断态不重复峰值电压应低于 正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家 自行规定。UU VRRM 反向重复峰值 电压 在门极断路