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电子束与样品的作用The Electron and Sample Reaction本部分内容电子束与样品的作用体积电子束照射样品产生的信号弹性散射与非弹性散射背散电子与二次电子昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9原子序数对电子束作用体积的影响轻元素中穿透深，梨形重元素中穿透浅，球缺形Fig3.10昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9入射电压对作用体积的影响Monte Carlo Simulation结果显示：宽度和深度随电压改变，形状不变10kv20kvFig3.830kv昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9 Jianna W 2007.04电子束与样品的作用体积Monte Carlo Simulation基本点： 每次运动平均自由程；用Bethe表达式计算能量损失；选取0~180随机散射角；直到电子能量耗尽后终止大量模拟数据时，可以得到作用体积平均Fig3.7a昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9样品倾转对作用体积的作用Monte Carlo Simulation结果显示：入射电子束成锐角入射使作用区域靠近表面Fig3.9问题：对于表面有薄层的样品，采取什么措施可以使信号来自表面?表层厚度少于多少时信号会来自基底层？昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子作用深度——KO公式Kanaya-Okayama Range电子在样品中的作用深度与电子的运动速度成正比，与样品的原子序数和密度成反比可以对已知样品中的作用深度估算(um)-A 原子量 g/molE 入射束能量 KeVZ 原子序数ρ 密度g/cm3昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子作用深度——计算结果Bethe Range(um)Kanaya-Okayama(um)Beam Energy (KeV)Beam Energy (KeV)Target51020305102030C0.612.17.5130.521.75.310.4Al0.521.86.012.40.411.34.28.2Cu0.210.692.34.60.140.461.52.9Au0.190.541.63.20.080.270.861.7-昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子束在样品中作用深度的计算电子在样品中经历多次的非弹性散射，把能量转移给样品用散射截面可以有效地描述非弹性散射，但是单个散射截面不可测量采用能量损失速率(average rate of energy lose)可以从宏观上反映非弹性散射从物理原理上用Beth公式计算电子作用深度KO公式是经验公式昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9= - 7.85x104dEds= - 2πe4N0lnlnZρAEmZρAEm1.66Em J1.66Em JBethe 公式e 电子电荷N0 阿伏加德罗常数Z 原子序数ρ 密度Em 电子平均能量s距离A原子量J 平均电离能昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9R=∫0E0dE 1dE/dsR=[—] J2A7.85x104ρEEI(2logeEI(2loge））1.166E0 J1.166Ei JXnnn!∞∑n=1电子作用深度——Bethe 公式积分后：-其中EI（x）= 0.5772+loge(x)+Bethe距离在计算中忽略弹性散射，估计值偏大昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9本部分内容电子束与样品的作用体积电子束照射样品产生的信号弹性散射与非弹性散射背散电子与二次电子昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9入射电子背散电子阴极荧光二次电子俄歇电子X射线吸收电子透射电子电子束与样品之间的作用信号示意图昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9弹性散射弹性散射：是入射电子与样品原子核的相互作用的结果。电子的能量没有变化。包括背散电子和透射电子的大部分昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9非弹性散射是入射电子与样品核外电子的作用由于电子质量相近，散射后入射电子能量改变散射角在0~180度之间产生很多有用信号：二次电子： 半导体或绝缘体中的价带电子被激发到导带中，具有足够能量的电子可逃出样品表面，是扫描电镜中重要的信息采集方式。 昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9非弹性散射得到的信号特征X射线或者俄歇电子：由内层电子电离引发连续X射线：入射电子受到样品中原子电磁场作用而减速，转移的能量以X射线发射，波长从几个eV到KeV等离子激发：金属中的自由电子以松散电子气激发有确定能量值声子激发： 每次散射转移能量1eV,引起晶格振动——声子，样品温度升高就是声子发射 昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子与原子核之间的作用入射电子与原子核的作用来源于电场作用力，与作用距