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国内外碳化硅的合成与研究进展 国内外碳化硅的合成与研究进展 摘要： 摘要： 随着工业的发展和科学技术的进步，碳化硅的非磨削用途在不断扩大，在耐 随着工业的发展和科学技术的进步，碳化硅的非磨削用途在不断扩大，在耐 炎材料方面用于制作各种高级耐炎制品，如垫板、出铁槽、坩锅熔池等；在冶金 炎材料方面用于制作各种高级耐炎制品，如垫板、出铁槽、坩锅熔池等；在冶金 工业上作为炼钢脱氧剂，可以节电，缩短冶炼时间，改善操作环境；在电气工业 工业上作为炼钢脱氧剂，可以节电，缩短冶炼时间，改善操作环境；在电气工业 方面利用碳化硅导电、导热及抗氧化性来制造发热元件——硅碳棒。碳化硅的烧 方面利用碳化硅导电、导热及抗氧化性来制造发热元件——硅碳棒。碳化硅的烧 结制品可作固定电阻器，在工程上还可作防滑防腐蚀剂。碳化硅与环氧树脂混合 结制品可作固定电阻器，在工程上还可作防滑防腐蚀剂。碳化硅与环氧树脂混合 可涂在耐酸容器中、蜗轮机叶片上起防腐耐磨作用。SiC由于具有优良的耐高温、 可涂在耐酸容器中、蜗轮机叶片上起防腐耐磨作用。SiC由于具有优良的耐高温、 耐磨耗、耐腐蚀及高的热传导性能，近年来受到人们极大关注。作为一种新型的 耐磨耗、耐腐蚀及高的热传导性能，近年来受到人们极大关注。作为一种新型的 非氧化物精细陶瓷材料，其研究与应用均取得了长足的发展。 非氧化物精细陶瓷材料，其研究与应用均取得了长足的发展。 关键词：碳化硅，结构，粉体合成，碳化硅制品 关键词：碳化硅，结构，粉体合成，碳化硅制品 正文： 正文： 一、 SiC的结构 一、 SiC的结构 α β α β α α β α β α SiC晶型结构有 型二种， 型为六方晶型， 型为立方晶型。 型SiC 的 SiC晶型结构有 型二种， 型为六方晶型， 型为立方晶型。 型SiC 的 β β 分解温度在2400度左右，称为高温异形体2在温度低于2000度时，SiC以 型方式 分解温度在2400度左右，称为高温异形体2在温度低于2000度时，SiC以 型方式 β β 存在，称为低温异形体。立方晶型的 —SiC可在1450度左右由简单的硅和碳混 存在，称为低温异形体。立方晶型的 —SiC可在1450度左右由简单的硅和碳混 β α β α 合物制得，温度高时 —SiC 会转相生成 —SiC。SiC没有一个固定的熔点，在 合物制得，温度高时 —SiC 会转相生成 —SiC。SiC没有一个固定的熔点，在 密堆积系中，在1bar 总压力下，约在 ! 0.3!时分解成石墨和富硅熔融物，此温 密堆积系中，在1bar 总压力下，约在 ! 0.3!时分解成石墨和富硅熔融物，此温 度是形成SiC晶体的最高温度。在松散的堆积系中，SiC在2300度左右开始分解， 度是形成SiC晶体的最高温度。在松散的堆积系中，SiC在2300度左右开始分解， 形成气态硅和石墨残余物。 形成气态硅和石墨残余物。 二、 SiC粉体的制作方法 二、 SiC粉体的制作方法 SiC粉体的制作方法大体可分为两大类。一是把由固相得到的粗粒子进行粉 SiC粉体的制作方法大体可分为两大类。一是把由固相得到的粗粒子进行粉 碎的分解方法；另一类是用气相法等直接合成SiC 细粉末的聚集方法。这两大类 碎的分解方法；另一类是用气相法等直接合成SiC 细粉末的聚集方法。这两大类 方法根据原料的种类和加热方式的不同，又被分成几种。 方法根据原料的种类和加热方式的不同，又被