光电检测技术 第二章光电检测用光源 PPT.ppt

（一）LED发光机理及发光光谱 在电场的作用下，半导体材料发光是基于电子能级跃迁的原理： l???当给发光二极管的P－N结加正向电压时，外加电场将削弱内建电场，使空间电荷区变窄，载流子的扩散运动加强。 l? 由于电子迁移率总是远大于空穴的迁移率，因此电子由N区扩散到P区是载流子扩散运动的主体。 l????当导带中的电子与价带中的空穴复合时，电子由高能级跃迁到低能级； l? 电子将多余的能量以发射光子的形式释放出来，产生电致发光现象。 电子和空穴复合时放出能量的大小，即光子的能量，取决于半导体材料的禁带宽度Eg(Eg=E1-E0)，放出的能量越大，发出的光辐射波长就越短，即 例如：GaAs材料的禁带宽度Eg=1.43eV, 则光辐射波长为： （二）LED的特性及参数 LED的性能参数有两个方面： 电学方面和光学方面。 主要性能有： l???????伏安特性 l???????发光效率 l???????发光亮度 l???????响应时间 l???????光谱特性 l???????寿命 1． 伏安特性 l伏安特性即电流—电压特性，是发光二极管的基本特性。 l?伏安特性曲线形状和普通二极管的