CCD基本原理与应用.ppt

实物;如何准确地描述一幅图像？;感光芯片的设计思想：就是分割被描述区域，用相应 的灰度填充。;实物;实物;实物;实物;实物; 由于 光电转换设备 和 放大设备 都是针对 微观的电荷进行量化操作。就需要一个精密 的器件来完成这两个过程。 我们常用的是 CCD 和 CMOS;;CCD与CMOS比较;CCD图像传感器;概述;光学系统;CCD结构示意图 ;MOS电容 ;MOS电容器的形成方法：在P型或N型单晶硅衬底上用氧化办法生成一层厚度约为100～150nm的SiO2绝缘层，再在SiO2表面按一定层次蒸镀一金属电极或多晶硅电极，在衬底和电极间加上一个偏置电压（栅极电压），即形成了一个MOS电容器。; 2. 电荷耦合器件的工作原理;特点：以电荷作为信号;光电导效应;信号电荷的产生（示意图）;当金属电极上加正电压时，由于电场作用，电极下P型硅区里空穴被排斥入地成耗尽区。对电子而言，是一势能很低的区域，称“势阱”。有光线入射到硅片上时，光子作用下产生电子—空穴对，空穴被电场作用排斥出耗尽区，而电子被附近势阱（俘获）。; 电极上所加的电压越高，势阱越深，电荷留在阱内量越多。只要电压存在，电子就能储存在势阱里。由于绝缘氧化物层使得电子不能穿过而到达电极，因此存贮在势阱里的电子形成了电荷包，其电荷量的多少与光照强度及照射时间成正比，于是所有电极下的电荷包就组成了与景物相对应的电荷像。 ;信号电荷的存储（示意图）;光滴;CCD 的工作过程;CCD 的工作过程;这一过程存在着以下问题： 当一个像素聚集过多的电荷后，就会出现电荷溢出 溢出的电荷会跑到相临的像素势阱里去。这样电量 就不能如实反映原物。 要避免这种情况发生的方法： A 把桶做大些 B 减少测量时间 C 把满的水倒出一些 D 做个导流管，让溢出的水流到地上去，不要流到其他 桶里 ;对应的方法：; 当一个CCD芯片感光完毕后，每个像素所转换的电荷包就按照一行的方向转移出CCD感光区域，以为下一次感光释放空间。;为实现信号电荷的转换： 1、必须使MOS电容阵列的排列足够紧密，以致相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦???。 2、控制相邻MOS电容栅极电压高低调节势阱深浅，使信号电荷由势阱浅处流向势阱深处。 3、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 ;CCD 的工作过程; 每个光敏元（像素）对应三个相邻的转移栅电极1、2、3,所有电极彼此间离得足够近,以保证使硅表面的耗尽区和电荷的势阱耦合及电荷转移。所有的1电极相连并施加时钟脉冲φ1,所有的2、3也是如此,并施加时钟脉冲φ2、φ3。这三个时钟脉冲在时序上相互交迭。;势阱的深浅由电极上所加电压的大小决定。电荷在势阱内可以流动，它总是从相邻浅阱里流进深阱中，这种电荷流动称为电荷转移。若有规律改变电极电压，则势阱的深度就会随之变化，势阱内电荷就可以按人为确定的方向转移，直到最终由输出端输出。 ; 如何实现电荷定向转移呢？下面以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。;CCD芯片的构造 ; 三相控制是在线阵列的每一个像素上有三个金属电极P1,P2,P3,依次在其上施加三个相位不同的控制脉冲Φ1，Φ2，Φ3，见图（b）。当P1极施加高电压时，在P1下方产生电荷包（t=t0）；当P2极加上同样的电压时，由于两电势下面势阱间的耦合，原来在P1下的电荷将在P1、P2两电极下分布（t=t1）；当P1回到低电位时，电荷包全部流入P2下的势阱中（t=t2）。; 然后，p3的电位升高，P2回到低电位，电荷包从P2下转到P3下的势阱（t=t3），以此控制，使P1下的电荷转移到P3下。随着控制脉冲的分配，少数载流子便从CCD的一端转移到最终端。终端的输出二极管搜集了少数载流子，送入放大器处理，便实现电荷移动。;三相CCD的电荷转移过程示意图; CCD工作过程的第四步是电荷的检测，就是将转移到输出极的电荷转化为电流或者电压的过程。 输出类型，主要有以下三种： 1）电流输出 2）浮置栅放大器输出 3）浮置扩散放大器输出 ; CCD 的工作过程;CCD的工作过程示意图;利用CCD的光电转移和电荷转移的双重功能，得到幅度与各光生电荷包成正比的电脉冲序列，从而将照射在CCD上的光学图像转移成了电信号“图像”。 由于CCD能实现低噪声的电荷转移，并且所有光生电荷都通过一个输出电路检测，且具有良好的—致性，因此，对图像的传感具有优越的性能。 ;二、CCD传感