第7章半导体表面与mis结构.ppt

;第七章 半导体表面与MIS结构;7.1.1 理想一维晶体模型及其解;1、理想一维晶体表面模型及其解;对能量E＜V0的电子 ;表面态 表面能级;西安理工大学电子工程系　马剑平;悬挂键与表面态;2 三维理想晶体的表面态 ;7.1.2 实际半导体表面;Si晶体的重构表面(a)和无重构表面(b)模型 ;7.1.3 Si-SiO2系统;一、 Si-SiO2系统中的电荷和能量状态;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;二、 Si-SiO2系统的优化处理;1、正确选择Si片的晶向 ;2、采取“吸杂”措施 ;3、适当提高干氧氧化工艺的比重;4、退火处理;7.2 表面电场效应与MIS结构;7.2.1 表面电场的产生与应用;7.2.1 表面电场的产生与应用;半导体表面感应电荷的产生;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;西安理工大学电子工程系　马剑平;MIS结构产生感生电荷的四种情况 ;西安理工大学电子工程系　马剑平;7.2.3 理想MIS结构的空间电荷层与表面势;表面势与耗尽层宽度随UG的变化而变化;二、不同UG下的表面空间电荷层与表面势;1)、多数载流子堆积;表面层因空穴的退出而带负电，电荷密度基本上等于电离受主杂质浓度。 ;耗尽层近似;以Eis和Ei分别表示半导体表面和半导体体内的本征费米能级，临界反型时表面处的电子密度:;4) (临界)强反型;强反型条件下的xd,max与NA (ND)的关系 ;三、MIS结构C－V特性的多变性 ;7.3 MIS结构的电容?电压特性 ;7.3 MIS结构的电容?电压特性 ;一、理想MIS结构的电容—电压特性 ;理想MIS结构的充放电;1 偏压UG为负值-多子堆积状态;2 平带状态-平带电容CSFB;3 偏压UG为正值-多子耗尽状态;4 偏压UG为大正值-强反型状态;在金属和半导体之间加一脉冲阶跃或高频正弦波形成的正电压，在UG的正向作用周期内, 由于空间电荷层内的少数载流子的产生速率跟不上电压周期的变化，耗尽层中产生的电子－空穴对远远满足不了形成强反型层对电荷量的需要, 即使UG已超过VT，也没有足够的少子在正向作用周期内使得半导体表面形成强反型层，只有耗尽层进一步向半导体内深处延伸而产生大量的受主负???荷以满足电中性要求，这时对半导体体内起电场屏蔽作用的仍然是耗尽层，耗尽层的进一步扩展使得C/C0继续下降，因此这种情况下时耗尽层的宽度很大，可远大于强反型时的最大耗尽层宽度，且其宽度随电压UG幅度的增大而增大，这种状态成为深耗尽状态。;C’min/Ci 的测试及其应用 ;5) 深耗尽;6) 深耗尽非平衡态;半导体表面杂质浓度的测量;Couple Charge Device( CCD );CCD的工作原理;CCD：将电荷包从一个势阱转入相邻的深势阱;Comparison of the theoretical low frequency capacitance (solid line) and the experimental data (open squares) obtained in the dark. Fitting parameters are ND-NA = 3.95 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. ;7.3.2 实际MIS结构的电容－电压特性;一、功函数差对MIS结构电容－电压特性的影响;二、绝缘层电荷对MIS结构C-U特性的影响;求解平带电压 ;三、实际MIS结构的平带电压和特性;实际MIS结构的特性描述 ;四、多晶硅栅MOS;多晶硅栅MIS结构的电容 ;例题;例 MOS结构开启电压;(1) 理想情况下MOS结构开启电压;(2)表面本征时 qVs=qVB ;7.4 表面电导与表面迁移率;7.4.1 表面电导;一、表面电导随表面势Vs的变化;一、表面电导随表面势Vs的变化;一、表面电导随表面势Vs的变化-以p型半导体为例分析;二、环境对表面电导的影响;实验结果解释：;7.4.2 表面散射与近表面区中载流子的有效迁移率;一、表面散射机构;二、表面层中载流子的等效迁移率;7.4.3 影响表面迁移率的主要因素;一、界面电荷对 ?eff 的影响;三、表面晶向对 ?eff 的影响;7.4.4 表面迁移率模型与载流子的表面饱和漂移速度;一、表面迁移率模型