组织均匀钽溅射靶材的制备现状.docxVIP

组织均匀钽溅射靶材的制备现状 溅射是制备薄膜材料的主要方式，其原理是离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，形成具有高能的离子束流，轰击到固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子被轰击，从而离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。随着集成电路的高度规模化且集成化程度越来越高，在深亚微米工艺中（≤0.18μm及以下），铜将逐步代替铝成为硅片上金属化布线材料，与之匹配的溅射阻挡层的高纯钽靶材应用愈来愈广泛，主要是因为金属钽具有高导电性、高热稳定性和对外来原子的阻挡作用。 溅射靶材的晶粒大小和晶粒取向直接影响其溅射性能和溅射薄膜的品质，主要表现在随着晶粒尺寸的增大，薄膜沉积速率呈现逐渐降低的趋势，靶材晶粒尺寸在合适范围内，如100μm以下，则溅射时薄膜的沉积速率高且薄膜厚度均匀性好。因此，靶材的平均晶粒尺寸大小和晶粒尺寸的均匀性是影响靶材溅射性能的要素之一。极大规模集成电路用半导体溅射靶材不仅具有合适的晶粒尺寸，还要保证其均匀性。一般来说，高品质溅射靶材需要满足以下五点：1）细而均匀的晶粒；2）众多单独晶体的随机和均匀无序的晶体学取向；3）宏观观察时在整个靶体上基本不变的显微组织；4）在靶和靶之间可重复产生的显微组织；5）基本上100%致密且提供高强度晶间结合的显微组织。 2 高纯钽溅射靶材的制备工艺 目前，溅射钽靶的制备方法主要有两种，分别为粉末冶金加工法和熔炼铸锭加工法。 2.1 粉末冶金法 粉末冶金法制备高纯钽靶材的方法主要有热压、热等静压、冷等静压真空烧结等，其工艺流程为：原料→装膜→冷等静压→真空烧结→轧制→退火→机加→成品，或者为热等静压后直接进行机加获取成品。 原料选取方面，由于一般钽粉氧含量较高，超过1000μg/g，真空烧结去氧的能力又有限，所以这种方法的关键在于选择高纯、超细粉末作为原料和能够快速致密化的成型烧结技术，以保证靶材的低孔隙率，并且制备过程严格控制杂质元素的引入。有研究提出，通过将金属粉末表面氮化的方法，可以获得氧含量在300μg/g以下，氮含量在10μg/g以下的钽粉，然后装入模具，再经冷压成型和热等静压成型或其它烧结等方法，可获得纯度为99.95%以上、平均晶粒尺寸小于50μm，甚至10μm，织构随机、靶材表面和厚度方向织构均匀的钽靶。例如文献指出粉冶法制备的钽靶，其晶粒尺寸小于60μm且组织致密的，其中（100）织构为7.25%，（110）织构为13.9%，（111）织构为21.7%，三种织构组分较一致，不出现（111）织构占强的现象，满足溅射要求。 等静压成型是将待压试样置于高压容器中，利用液体介质不可压缩的性质和均匀传递压力的性质从各个方向对试样均勻加压，使得钽粉在各个方向的受力均匀，从而保证得到钽坯内部组织织构的一致性。然后将坯料进行真空烧结，通过对真空度、温度与时间的限定，使得钽坯中的杂质得以最大量的挥发，原始气孔消失，得到更致密、纯度更高的坯料，相对密度可达99.65%。粉末冶金法这种独有的特点，将粉末通过机械外力压制成块，然后通过烧结，使压制粉末颗粒间的机械结合变成金属键结合，变成一块金属原料，在此过程中，因原粉末颗粒粒径很小以及烧结过程中晶粒长大程度很小，使得坯料的晶粒尺寸远小于熔炼铸锭晶粒尺寸，可保证晶粒尺寸小于60μm。同时，粉冶法制备的坯料，因坯料各位置处的成型条件一致，故组织均匀，远优于熔炼组织。后期压力加工，目的仅是为了成型，只有轧制一个压力加工工序，对织构影响不大，因此，可制得（100）、（111）、（110）三种织构组分均匀一致，不出现（111）织构占强的钽靶材。然而，目前的气体杂质含量控制还是难点。 2.2 熔炼铸锭法 熔炼铸锭法制备高纯钽溅射靶材，可获得高纯或超纯且致密性优良的靶材，这对于获取高性能靶材是非常关键的，因此该方法目前仍是制造钽溅射靶材的主流方法。一般是将钽原料先进行熔炼（电子束或电弧熔炼），将得到的高纯铸锭或坯料反复进行热锻、退火，再进行轧制、退火，精加工后而成靶材。若钽溅射靶材中含有孔隙，则会极大影响溅射性能，如溅射过程中若是含有气体的孔隙被打通就可能会释放出气体，令溅射过程的瞬间不稳定，甚至产生电弧现象，使得沉积膜均匀性难以保证，因此，相比粉末冶金法，熔炼铸锭法制备的钽靶材致密度相对较好。 一般来说，熔炼锭晶粒粗大，经过热锻和再结晶退火后，可以得到100μm以下的晶粒。如文献提到，将纯度为99.998%（除去氧和其它气体杂质）以上、高为200mm、直径为200mm、晶粒尺寸为55mm左右的电子束熔炼锭坯料，经反复锻造、轧制、再结晶退火等，可获得平均晶粒尺寸在110μm以下、晶粒直径偏差为±20%以下、且