芯片级无铅CSP器件的底部填充材料(1).pdfVIP

芯片级无铅 CSP 器件的底 部填充材料 芯片级无铅 CSP 器件的底部填充材料 概述： 晶片级器件底部填充作为壹种新工艺仍需进壹步提高及优 化，其工艺为：于晶片级器件制作过程中，晶圆底部加填充材料， 这种填充材料于芯片成型时壹步到位，免掉了外封装工艺，这种 封装体积小，工艺简单，可谓经济实惠。然而，该新型封装器件 面临壹个严峻的考验，即：用于无铅焊接工艺。这就意味着：即 要保证器件底部填充材料和无铅焊料的兼容，又要满足无铅高温 焊接要求，保证焊接点的可靠性及生产产量。 近期为无铅 CSP 底部填充研发了几种新型材料，这些填充材 料滴涂到晶圆上，呈透明胶状（半液态）物质，经烘烤，呈透明 状固态物质，这样分割晶圆时可保证晶片外形的完整性，不会出 现晶片分层或脆裂。于这篇文章中，我们探讨壹下烘烤对晶圆翘 曲度的影响？烘烤是否引发底部填充材料的脆裂？以及回流过 程中底部填充物的流动引起的焊料拖尾问题？因为底部填充材 料即要保证焊料不拖尾，又要保证焊点的可靠性，及可观察到的 焊料爬升角度，同时，底部填充材料的设计必须保证烘烤阶段材 料的流动，固化情况处于可控工艺窗口之内。另外，底部填充材 料和焊接材料的匹配标准于本文中也有讨论。 关键词语：晶片，底部填充，表面贴装技术，倒插芯片，CSP 封 装，无铅，烘烤 背景： FC 及CSP 封装器件要求底部填充材料于焊接过程中能够和焊 球、PCB 完美结合，增加焊点的抗疲劳能力。底部填充工艺方便、 简单，将半液态填充材料施加于焊球和器件基板之间的间隙即可。 对于节点尺寸大、I/O 接口多的器件，填充材料的填充高度必须 壹致，实践证明：底部填充非常耗时，尤其 FC 封装器件，是大 批量生产的瓶颈。 晶片底部填充工艺（WLUF ）首先是于大的晶圆上直接施加胶 状(半液态)底部填充材料，然后大的晶圆经烘烤阶段（B-Stage ） 固化，使其失去粘性，最后，将大晶圆分割成晶片，切割好的晶 片独立包装，即可发往客户。器件于SMT 装配过程中，被贴放于 PCB 上回流焊接，器件于该阶段，焊料经助焊剂挥发作用回流形 成焊点，和此同时，底部填充材料也经过熔融，固化的步骤，对 焊点的形成起帮助保护作用。综上所述，芯片级封装器件生产工 艺步骤少，价格便宜。 芯片级封装器件，从晶圆﹑底部填充材料﹑到PCB 装配结束， 底部填充材料经过：胶状底部填充材料滴涂到大晶圆上→底部填 充材料固化→晶圆切割→晶片上底部填充材料于 PCB 回流过程中 液化→再固化，具体实施请见下列步骤： 1.滴涂：要求底部填充材料流动性好，便于滴涂。 2.烘烤/切割：经烘烤阶段的底部填充材料，不能有空洞，应为 无缺陷的透明填充膜，该填充膜的玻璃转化温度（Tg ）必须高 于室温，使其于室温环境下切割时没有粘性，刮刀无粘连。 3.助焊：底部填充材料具有助焊功能，器件于回流过程中，底部 填充材料能够帮助清除焊球﹑焊料﹑PCB 表面氧化层，且随焊 球同步延伸，具有同样的张力，同时，填充材料于助焊阶段不 能产生任何挥发物，以保证填充稳定性。 4.回流：回流过程中，底部填充物必须流动以确保焊接的形成， 同时，覆盖焊点形成保护膜，该保护膜加强焊点和器件基板连 接可靠性。 5.固化：底部填充材料经回流后必须固化，以确保焊点形成刚性 结构，但该固化时间必须迟于焊料的固化，以保证焊点形成， 对于体积大，I/O 接口多的器件，经过回流固化后的 PCB 需再 经过低温烘烤，保证底部填充物的充分固化。 6.焊膏：标准的 SMT 装配过程中，焊膏印刷于 PCB 焊盘上，从而 于回流后形成机械，电气连接，焊膏回流后形成壹定的焊点高 度，底部填充则增加焊点可靠性，理想状态下，底部填充应缩 小焊料范围，且保证回流过程中焊料收缩，无拖尾。 7.返工/返修：底部填充材料必须具备可返工/返修功能，以保证 缺陷焊接的返工/返修，因此要求底部填充材料于220℃时， 剪切强度要小，且残留物要容易清除。 8.材料特性（Tg ，CTE ，E）：底部填充材料必须满足最小的CTE ﹑ 模量系数及 Tg 要求，满足封装可靠性要求，且能通过温度循 环，潮湿阻抗测试。 和无铅工艺匹配的 WLUF ： 当下大多数以铅为基材的焊球采用C4 材料，即 63%Sn37%Pb ， 熔点为 183℃，符合 EU 和日本电子元器件生产的立法要求，无铅