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　　 ;1 常用半导体器件(5次);第一章 常用半导体器件;本章重点和考点：;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;;;;;;四、本征半导体中载流子的浓度;1. 半导体中两种载流子;1.1.2　杂质半导体;;二、 P 型半导体;说明：; 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 ; PN 结中载流子的运动;3. 空间电荷区产生内电场;二、 PN 结的单向导电性;　耗尽层;　　 当 PN 结正向偏置时， PN结呈低阻性，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时， PN结呈高阻性，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　;IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV;四、PN结的伏安特性;PN结高频小信号时的等效电路：; 1.2 半导体二极管;1 点接触型二极管;3 平面型二极管; 1.2.2二极管的伏安特性;二、温度对二极管伏安特性的影响; 1.2.3 二极管的参数;(3) 反向电流IR;1. 理想模型;2 开关等效模型（恒压降模型）;3 折线模型;4. 微变等效模型; 应用举例;;2. 限幅电路（恒压降模型）;导通;;ui 8V 二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V 二极管截止，可看作开路 uo = ui;1.2.5 　稳压二极管;稳压二极管的应用; 稳压二极管的工作电流IZminIIZmax，超过此围，稳压管不能正常工作，所以稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，故称这个电阻为限流电阻。;稳压管的一种实物图;光电管;几种普通发光二极管实物图;1.3　双极型晶体管(BJT);1.3.1　晶体管的结构及类型;图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型;集电区;1.3.2　晶体管的电流放大作用;三极管内部结构要求：;b;b;　　总结： 三极管放大的特点;[例1]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。;例[2]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V??　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。;　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗;BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部表现。;IC; iB=f(uBE)? UCE=const;IB(?A);; 二.输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;截止区—— iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。 ;饱和区—— iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。;三极管工作状态的判断;;判断方法2：不直接求UO，而通过观察IC值来判断：;练习：电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压uo的值。 ;解：（1）当uI=VBB＝0时，T截止，uo≈VCC=12V。 ;;二、交流参数;1.最大集电极耗散功率PCM;3. 反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压。;1.3.5　温度对晶体管特性及参数的影响;1.3.5　温度对晶体管特性及参数的影响;1.3.5　温度对晶体管特性及参数的影响;1.3.6　光电三极管;1.4　场效应三极管;N沟道;;P 沟道场效应管;一、结型场效应管工作原理;栅源电压vGS对电流iD的控制作用;在栅源间加负电压vGS，为便于讨论，先令vDS =0;在栅源间加负电压vGS，为便于讨论，先令vDS =0;对