杂质对氧化物晶体中缺陷平衡的影响.pptVIP

67式子可以换成左边是VM,并不影响结果 * * 转型后仍然为N型，因为此时杂质很多，电离后给出电子，电子被Vm中和了一些，所以太大之后对电导率不起作用了。 转型后仍然为N型，因为此时杂质很多，电离后给出电子，电子被Vm中和了一些，所以太大之后对电导率不起作用了。 多一个时，可以减去它，但化学反应不减，所以左边加， VM或者MM均可 * * 杂质对氧化物晶体中缺陷平衡的影响 主要内容 2-3-1 杂质对满足化学计量比组成的氧化物晶体 中的缺陷平衡的影响 1、高价掺杂 2、低价掺杂 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的晶体中的缺陷 平衡的影响 一、金属过剩型或氧缺位型氧化物 1、高价掺杂 2、低价掺杂 二、金属缺位型或氧过剩型氧化物 1、高价掺杂 2、低价掺杂 2-3-1 杂质对满足化学计量比组成的 氧化物晶体中的缺陷平衡的影响 * 2-3-1 杂质对满足化学计量比组成的 氧化物晶体中的缺陷平衡的影响 2-3-1 杂质对满足化学计量比组成的 氧化物晶体中的缺陷平衡的影响 * 2-3-1 杂质对满足化学计量比组成的 氧化物晶体中的缺陷平衡的影响 2-3-1 杂质对满足化学计量比组成的 氧化物晶体中的缺陷平衡的影响 * 课堂作业 写出对满足化学计量比M2O3体系中分别进行高价、低价掺杂的缺陷反应。 知识点 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 一、金属过剩型或氧缺位型氧化物 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 掺杂浓度越高，电子浓度越大。 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 总结：随着杂质浓度的增加，间隙离子浓度不断下降，而金属空位的浓度则不断上升。考虑氧分压的影响，如图所示，可把氧分压分为三个区域。在区1中，低氧分压下，间隙离子浓度很高，若杂质浓度太小则不起作用。在区2中，中氧分压下，外来的杂质为主要缺陷控制了整个缺陷浓度。在区3中，高氧分压下，金属空位浓度剧增并成为主要缺陷，发生晶体缺陷类型的转变，即从M1+yO型转变为M1-yO型。 * 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 总结：随着氧分压和杂质浓度的增加，电子浓度不断下降，空穴浓度则不断提高。在足够高的氧分压下，有可能使半导体的导电类型由N型转化为P型。 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 * 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 总结：随着杂质浓度的增加，晶体中空穴浓度不断下降，电子的浓度则不断上升。在一定的氧分压下，当杂质浓度足够高时，有可能使半导体的导电类型由P型转化为N型。 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 对于金属空位M1-yO型氧化物： 2、低价掺杂 引入低价受主杂质，在一定条件下可能产生空穴缺陷补偿，此时反应过程得氧，空穴浓度增加，准化学反应式为： （2-76 a） （2-77 a） 同时，由于产生离子缺陷补偿，产生 如式（2-63）： 二、金属缺位型或氧过剩型氧化物 可以复合间隙原子 （2-77 b） 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 事实上上述两种情况兼而有之，将（2-76 a）和（2-77 b）两式合并写成： 引入一价金属氧化物杂质F2O后，晶体中的电中性条件为： （2-78 a） 当掺杂浓度足够高时 ，电中性方程化简为： 利用金属空位缺陷方程及原子缺陷本征方程： （2-72a） （2-79 a） （2-80 a） 2-3-2 杂质对非化学计量比组成的 晶体中的缺陷平衡的影响 根据质量作用定律: 对于（2-72 a）有： （2-72 b） 对于（2-80 a）有： （2-80 b ） 可求得： （2-81 a） （2-82 a） 式中，K2为反应式（2-72 a）的平衡常数；KF为反应式（2-80 a）的平衡常数. 总结：当引入低价金属氧化物杂质F2O时，会使间隙金属离子浓度上升，而金属空位浓度下降。同样在一定的氧分压下，当杂质浓度足够高时，将会引起晶体缺陷类型的转变，即由金属缺位型转变为金属间隙型。 67式子可以换成左边是VM,并不影响结果 * * 转型后仍然为N型，因为此时杂质很多，电离后给出电子，电子被Vm中和了一些，