2020年第三代半导体发展报告和投资策略分析.pdfVIP

目 录 前 言 II 一、国际第三代半导体产业进 1 （一）各经济体以前所未有的力度扶持半导体产业 1 （二）技术和产品商业化加速 3 （三）龙头企业不断完善全产业链布局 11 （四）市场规模持续长 14 二、国第三代半导体产业进 21 （一）各级策联动，扶持力度不断强 21 （二）研发实力提升，与先进水平差距缩小 28 （三）策市场双轮驱动，产业规模保持高速长 38 （四）市场加速渗透，新应用步开启 52 三、结与望 64 I 前 言 当前，国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性 量产的成功跨，并进入产业化快速发阶段，新能汽车、高速 轨道交通、5G 通信、光伏并网、消费类电等多个点领域实现了 应用突破。未来5 年将是第三代半导体产业发的关键期，全球本 加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购 频发，处于产业爆发前的抢跑 阶段。第三代半导体是我国十三 五 时期点布局的方向，产业化核心技术取得突破、产业布局较为 全面、市场应用步开启，可控能力渐强，体竞力不断 提升。 2020 年，我国第三代半导体产业面临复的外部环境。全球新冠 疫情持续蔓延，世界经济严衰退，国际贸易投萎缩，国经济面 临的不稳定、不确定因素显多；逆全球化思潮泛滥、贸易频发， 美、日韩等贸易给全球半导体和电商带来了供应链安全风 险；国际第三代半导体龙头企业显现领先优势，步建立行业壁垒， 或对国内产业成一定冲击。与此同时，多因素促成我国第三代半导 体产业逆势上。提信心的5G、AI 、物联网、大数据等市场提速， 新能汽车、PD 快充、5G 和新型显示时代的来临，应用市场对第三 代半导体的需求已经开始呈现出前所未有的长趋势。下游企业从供 应链安全角度考虑，导入国产器件，国内产品获得了试用、改进的机 会；策持力度更大、本市场更活，推动第三代半导体产业链 布局加快；新基建、“碳达峰、碳和”的策与规划密集推出，第 II 三代半导体材料和器件应用于清洁能领域如光伏、风电等，以及提 升能使用效率领域如流特高压输电、新能汽车、轨道交通等， 将对实现“碳达峰、碳和”起到关要的用。 此背景下，我国第三代半导体产业持续稳定发。技术方面， 研发能力步提升，量产技术渐成熟。国际SiC 商业化衬底以6 英 寸为，步向8 英寸过渡；国内SiC 商业化衬底以4 英寸为， 步向6 英寸过渡；国内外SiC 基GaN 外延片流尺寸为4 英寸，并 步向6 英寸发；Si 基GaN 外延片流尺寸为6 英寸，并步向 8 英寸发。SiC MOSFET 产品相继推出，车规级成为关焦点，多 家企业推出符合AEC-Q101 标的SiC、GaN 量产产品。GaN 电力电 器件实现650V 产品量产能力，要应用于PD 快充。商业化GaN 射频器件供应上量，下游应用市场快速开启。黄光LED 芯片发光效 率达到27.9% ，世界领先；UVA 波段外LED 已有成熟的商业化产 品并能满应用的需求，外量效率已超过40%；UVC 波段深外 LED 产品的外量效率5%。Mini/Micro-LED 技术取得了较快速的 进，Mini-LED 背光产品密集发布，规模商业化应用已经开启；Micro- LED 巨量移效率不断提升，多家厂商出样机。产业方面，国际 要企业大力完善产业布局，通过调业务领域、合并购等方式，树 立市场优势地位；国内企业强化布局，第三代半导体产业进入扩期； 产线陆续开通，大尺寸晶渐成流；产能进一步长，供给仍然不 。市场方面，SiC 功率器件价格持续下降，与Si 器件价差进一步缩 小；新能汽车成为市场的要拉动力，上下游合趋势日益明显，