电力电子技术离线作业答案.docxVIP

浙江大学远程教育学院 《电力电子技术》课程作业 1 ?把一个晶闸管与灯泡串联，加上交流电压，如图1-37 1 ?把一个晶闸管与灯泡串联，加上交流电压，如图 1-37所示 姓名： 应晓兵 学 号： 715236202001 年级： 15春 学习中心： 建德学习中心 图 1-37 问：（1）开关S闭合前灯泡亮不亮？ （ 2）开关S闭合后灯泡亮不亮？ （ 3）开关S闭 合一段时间后再打开，断开开关后灯泡亮不亮？原因是什么？ 答：（1）不亮; （ 2） 亮; （ 3）不亮，出现电压负半周后晶闸管关断。 2?在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠，可能是什么现象和原因？冬天工 作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因？ 答：晶闸管的门极参数 IGT、UGT受温度影响，温度升高时，两者会降低，温度升高 时，两者会升高，故会引起题中所述现象。 3.型号为KP100-3，维持电流Ih 3.型号为KP100-3，维持电流Ih = 4mA的晶闸管，使用在如图1-38电路中是否合理? 为件么？〔分析时不誉虑电丘、屯流衿量） 图1-38 习题5图 答：（a） 100 Id 3 = 0.002A 二 2mA ： Ih 二 4mA 50 103 故不能维持导通 (b) I 2 15.56...2 =12/1.57 =9.9A . |h 10,2 而 Utm =220 一 2 =311V Ur 即晶闸管的最大反向电压超过了其额定电压，故不能正常工作 （c） Id=160/1=160A Ih lT=Id=160A1.57 X 100=157A 故能正常工作 4.什么是IGBT的擎住现象？使用中如何避免？ 答：IGBT由于寄生晶闸管的影响，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），也可能 是duce/dt过大（动态擎住效应），会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使 IGBT的漏 极电流不超过额定电流，或增加控制极上所接电阻 RG的数值，减小关断时的 duce/dt,以 避免出现擎住现象。 第2章 1 ?出图2-57中①?⑨各保护元件及 VDf、Ld的名称及作用。（LJ为过流继电器） 答：（ 答：（1）交流进线电抗器 （2 ）压敏电阻 （3） 交流侧阻容保护 （4） 桥臂电感 （5） 快熔 （6） 过压保护电容 （7） 抑振电阻 （8） 直流侧压敏电阻 （9） 过流继电器 （10） VDF续流二极管 （11） Ld平波电抗器 图2-57三相桥式整流电路的保护 限流、限du/dt和di/dt 过压保护 过压保护 限du/dt （由元件换流引起）、di/dt 过流保护 限制关断过电压对元件的损害 防止L、C振荡，限制电容放电电流 直流侧过压保护 过流时，继电器开路，保护主电路 为负载电路提供通路，过压保护 防止直流电流波动（断流） GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准? 答： 如以测量集电极电流Ic为过流保护原则，当I cg测量误差为 I c ,则保护电路将在 集电极电流为lcg+：Ic时才动作，但此时工作点已经移至线性放大区，至U元件关 断时已出现高损耗，导致 GTR损坏。 如以测量集射极电压 Ue作为过流保护原则，在相同的相对测量误差下， GTR工作 点移动较小，元件关断时功耗只略有增加，可保证器件安全。 设基极电流I b减小Ib，当采用电流Ic测量的保护方式时， GTR关断时工作点已 经进入线性放大区；当采用电压 Ue测量保护时，GTR关断时工作点仍在饱和 区，确保器件安全。 GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗 的机理如何？ 答：缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。下图为电路的基本结构。 关断过程： CS与GTR集射极并联，利用Cs两端电压不同突变的原理延缓关断时集射 极间电压UCe上升的速度，使UCe达最大值之前集电极电流 I c已变小，从而使关断过程瞬 时功耗变小。R是限制GTF导通时电容的放电电流。 开通过程： Ls与GTR串联，延缓了集电极电流的增长速度，且当电流急剧增大时 会在其上产生较大压降，使得集射极电压在导通时迅速下降。这样电压、电流出现最 大值的时间错开，关断时功耗明显减小。 P VD 71 71 71 71 1、某电阻负载要求（0?24） V直流电压，最大负载电流 Id= 30A，采用单相半波可控 整流电路。如交流采用 220V直接供电与用变压器降至 60V供电是否都满足要求？试比较两 种方案的晶闸管导通角、额定电压、额定电流、整流电路功率因数以及对电源要求的容 量。 答：⑴220V供电 =0.4U21 cos =0. 4U2 1 cos 2 24 = 0.45 220 1 cos： 二；-180： -： =59。 I2二 sin 2； ：： 2二 I2