HYG086P06LA1B中文数据手册.pdfVIP

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2021-06-16 发布于北京
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HYG086P06LA1B P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description  -60V/-85A RDS(ON) 7.4mΩ(typ.)@VGS -10V RDS(ON) 9mΩ(typ.)@VGS -4.5V  100%avalanchetested  ReliableandRugged  HalogenFreeandGreenDevicesAvailable TO-263-2L (RoHSCompliant) Applications  Power Management in DC/DC converter.  Load switching. P-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code B B:TO-263-2L G086P06 Date Code XYMXXXXXX XYMXXXXXX Note: HUAYI lead-free products contain molding compounds/die attach materials and 100% matte tin plateTermi- Nationfinish;whichare fully compliant with RoHS. HUAYI lead-free products meet or exceed the lead-Free require- mentsof IPC/JEDECJ-STD-020for MSLclassificationat lead-free peak reflow temperature. HUAYIdefines “Green” to mean lead-free (RoHScompliant)and halogenfree (BrorCldoes not exceed 900ppm byweight in homogeneous material and total of Br and Cl does not exceed 1500ppm by weight). HUAYI reserves the right to make changes,corrections,enhancements, modifications,and improvements to this pr -oduct and/orto this document at any timewithout notice. V1.0 1 HYG086P06LA1B Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ratin