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2021-06-16 发布于北京
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VST008N10HS 100V/105A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.2 mΩ  N-Channel，10V Logic Level Control I D 105 A  Enhancement mode  Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V ®  VitoMOS ⅡTechnology TO-220AB  100% Avalanche Tested  Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VST008N10HS TO-220AB 008N10H 50pcs/Tube Maximum ratings, at TA=25 °C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V Drain-Source breakdown voltage 100 V (BR)DSS I Diode continuous forward current T =25°C 105 A S C TC =25°C 105 A I Continuous drain current @VGS=10V D TC =100°C 74 A I Pulse drain current