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- 2021-06-18 发布于福建
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第1章 半导体器件
半导体器件是现代电子技术的重要组成部分,是构成各种电子电路的核心,常用的半导体元器件有二极管、晶体管、场效应管等。
半导体元器件由半导体材料制成,因此,学习电子技术应首先了解半导体材料的特性,这将有助于对半导体元器件的学习、掌握和应用。
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1.1 半导体器件的基础知识
1.1.1 半导体材料
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体,这类材料大都是三、四、五价元素,主要有:硅、锗、磷、硼、砷、铟等,他们的电阻率在10-3~107欧.厘米。
半导体材料的广泛应用,并不是因为它们的导电能力介于导体与绝缘体之间,而是它们具有一些重要特性:
1)当半导体受到外界光和热的激发(本征激发)时,其导电能力发生显著的变化;
半导体的这些特点取决于这类物质的化学特性。
2)若在半导体中加入微量的杂质(不同的半导体)后,其导电能力显著的增加;
在这里,我们的目的不是研究半导体材料,而是借助半导体材料的特性来建立一些概念和术语,如多数、少数载流子,P型半导体、N型半导体,PN结,载流子的扩散与漂移运动, PN结的正反偏置, PN结的导通与截止等。
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绝对纯净的硅、锗、磷、砷、硼、铟叫做本征半导体。
1.1.2 本征半导体
1)半导体的化合价
物质的化学和物理性质都与物质的价电子数有密切的关系,半导体材料大都是三、四、五价元素。硅、锗(四价)、磷、砷(五价)、硼、铟(三价)。
2)化学键
物质化学键分离子键、共价键和金属键三种,半导体物质的化学键都属于共价键的晶体结构,同时它们的键长一般很长,故原子核对价电子的束缚力不象绝缘物质那样紧,当价电子获得一定的能量后,就容易挣脱原子核的束缚成为自由电子。
1.化学特性
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① 共有价电子挣脱原子核的束缚成为自由电子;
可见半导体中的载流子有两种,即自由电子(●)和空穴(○)。本征半导体的载流子是由本征激发而产生的,其自由电子与空穴是成对出现,即有一个自由电子,就一定有一个空穴,故称电子空穴对。
由于空穴带正电,容易吸引邻近的价电子来填补,从而形成了共有价电子的运动,这种运动无论从效果上,还是从现象上,都好象一个带正电的空穴在移动,它不同于自由电子的运动,故称之为空穴运动。
物质的导电是靠物体内带电粒子的移动而实现的,这种粒子称作载流子。金属中的载流子是自由电子。
2.半导体的导电机构
1)载流子的概念
②由于共有价电子的离去,使共价键结构上留下一个空位,电子技术中称之为“空穴”。此时该共价键原子的中性被破坏,成为带正电的离子,电子技术中称之为产生了带正电的“空穴”。
2)半导体的载流子
当半导体受到本征激发时,将出现如下物化过程和现象:
本征半导体中的自由电子与空穴的总数是相等的,其浓度取决于本征激发的强度。
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而施主杂质因失去一个价电子成为正离子。而在这种半导体中载流子主要是自由电子,自由电子带负电荷(Negative),故命名为N型半导体。于是用这样的示意图表示。
参杂半导体中电子与空穴的数目就不再是相等了,将要出现电子数大于空穴数或空穴数大于电子数。把数目多的载流子称多数载流子,数目少的载流子称少数载流子。是自由电子为多数还是空穴为多数,取决于掺杂物质。少数载流子的浓度取决本征激发。
1.1.3 杂质半导体
本征半导体中有载流子,但数量很少,故没有实用价值,须对本征半导体进行改造,以增加载流子的数量。其有效的措施是在四价元素中掺入微量三价或五价元素(杂质),这种掺杂后得到的半导体称杂质半导体。(人们常称的半导体,实际是指的杂质半导体,而不是本征半导体)由于掺入的杂质不同,杂质半导体分为N型和P型两大类。在介绍N型和P型的含义之前先介绍有关术语。
施主杂质
N型
1.N型半导体
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P型半导体中的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子
受主杂质容易获得一个价电子成为负离子,而在这种半导体中
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