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精品文档 精品文档 PAGE PAGE14 精品文档 PAGE 2010~2012年MEMS发展报告 RFMEMS 第一章 绪论 RFMEMS是指利用MEMS技术加工出来的尺寸在微米到毫米量级的射频器 件，能够对射频信号进行控制。和传统的射频器件相比， RFMEMS器件不单尺 寸更小，更为容易与单片电路集成，性能上也有了大的提高（比如低插损、线性、宽带、低功耗），可替代传统的PIN二极管和同类铁氧体产品。） 按照RFMEMS研究层面的不同，能够将其分为三类：基本器件：微机械开关，可变电容，电感，谐振器。组件层面：移相器，滤波器，压控振荡器。 系统层面：接收机，变波束雷达，相控阵天线。 RFMEMS器件的工作频次如下： 1）RFMEMS开关、变容器和电感器，可工作在DC~120GHz范围。 2）微加工传输线、高Q谐振器、滤波器和天线，适合于12~200GHz 范围。 3）FBAR（薄膜体声谐振器）和滤波器，直到3GHz都表现出优秀的性能和高Q值（2000）。 4）RF微机械谐振器和滤波器，在0.01～200MHz性能较好并有高Q值 8000）。 图1给出了RFMEMS器件工作频次范围。 图1RFMEMS器件工作频次范围 图2给出了RFMEMS技术的应用领域和范围；图3给出了RFMEMS 开关的应用领域。 图2RFMEMS的应用领域与应用范围 图3RFMEMS开关的应用领域 第二章技术发展 2.1外国RFMEMS技术发展现状 外国RFMEMS开关的研究 1990～1991年，在DARPA（美国国防预先研究计划署）资助下，位于加州Malibu的Hughes（休斯实验室）研制出微波控制的第一个MEMS开关（和变容器）。它证实了直到50GHz范围内MEMS开关的优秀性能，比用GaAs器件实 现的任何开关性能都要好得多。到 1995年，Rockwell（罗克韦尔）科学中心和 TI（德州仪器）企业均研制出性能优秀的RFMEMS开关。Rockwell开关是金属－金属接触式的开关，适合于DC~60GHz应用，而TI开关是电容式接触开 关，适合于10~120GHz应用。1998年，Michigan（密歇根）大学、UCBerkeley（加州大学伯克莱分校）、Northeastern（东北）大学、MIT（麻省理工学院）材料实验室、Columbia（哥伦比亚）大学、ADI（模拟器件）企业、NorthrupGrumman企业等都积极研究RFMEMS器件。 2001年，30多个企业都从事RFMEMS研究，其中包括消费电子产品的巨 人，如Motorola（摩托罗拉）企业，AnalogDevices（模拟器件）企业，Samsung（三星）企业，Omron（奥姆龙）企业，NEC企业和ST-微电子（意法半导体企业）。2003年密歇根大学的DimitriosPeroulis等人采用三层梁构造，加大电极 区面积以及蛇形梁降低弹性系数的方法实现了低驱动电压开关，驱动电压低至 6V。 2005年新加坡南洋理工大学的 A.B.Yu等人为了提高MEMS开关的隔绝度， 采用分两步旋涂光刻胶的方法，首先在地线和信号线之间用光刻胶填满缝隙， 再在其上旋涂光刻胶牺牲层，这样能够保证牺牲层表面的平整度，提高开关电 容比，进而提高隔绝度。和一般的开关相比，该开关在 15GHz频次时隔绝度提 高了2.2dB，在40GHz频次时隔绝度提高了10dB。 2006年，英国帝国理工学院的 SuneatPranonsatit等人研制了一种单刀八掷开 关，平均接触电阻为2.5Ω，20GHz频次下的插入损耗为2.65dB，隔绝度31dB， 这是第一个真实的单刀多掷 RFMEMS旋转开关。 2007年，DavidA.Goins等人开发了一种性能优秀的接触式开关，它在DC~20GHz频次上都能优秀地工作，插入损耗小于0.4dB，20GHz时的隔绝度为 25dB。 2008年，法国的M.Fernandez-Bolanos等人研制了一种电容式开关，为了防备在Si/SiO2衬底上形成反型层，在硅衬底上生长了一层无定型硅，防备电子积 累。进一步的，在信号线和地线之间进行了下刻蚀，去除了信号线邻近的部分 硅衬底，防止了在信号线了地线之间形成信号通道。在该开关中采用 TiO2作为 介电层材料（介电常数=20），获得高电容比。该开关的电容比为 200，驱动电压 为8V。 2008年，澳大利亚新南威尔士的 HamoodUrRahman设计的新颖构造的接触 式开关，驱动电压低至6.29V，40GHz频次范围一下的插入损耗为 0.37dB，隔绝 度23.5dB。 2009年，JaehongPark等人为了防止接触式开关（包括金属 -金属构造和MIM 构造）的微焊接和粘附等有关问题，采用梳齿构造 （1000对梳齿）进行驱动。该