第四章 半导体中载流子的输运现象.pdfVIP

第四章 4.1 载流子的漂移运动与迁移率 4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系 4.3 半导体的迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系 4.4 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系 4.5 连续性方程 School of Microelectronics 4.1 载流子的漂移运动与迁移率 一、漂移速度与迁移率  在外场|E|的作用下，半导体中载流子要逆(顺) 电场方 向作定向运动，这种运动称为漂移运动。  定向运动速度称为漂移速度，它大小不一，取其平均值 υ 称作平均漂移速度。 d School of Microelectronics 图中截面积为s的均匀样品， 内部电场为|E| ，电子浓度为n 。 在其中取相距为 的A和B两 υ t d 个截面，这两个截面间所围成 的体积中总电子数为N