《功能薄膜材料》课件第6章 薄膜生长的成核长大热力学.pptVIP

r;气固平衡条件：;;r;临界半径：;S=(p-p0)/p0;多面体核：;自由能变化也可写成如下形式：;均匀相中的成核率（稳定核与时间的关系）：;主要影响项为指数项，即过饱和度;r;衬底上的非均匀成核：;;临界半径：;1、q=0，成核功=零，但仍存在临界半径。矛盾？ 2、考虑其它外因引起的自由能变化，应力、静电力、杂质等，如考虑应变项后 3、与均匀成核的比较， rc ;温度和沉积速率的影响：;温度和沉积速率对微结构的影响:Cu/NaCl(111);晶核外形为四方柱：;讨论：同样可以用体积关系来考虑 在衬底上生??纳米线，纳米盘？ 如ZnO六方盘，六方形柱;晶核外形为圆柱：;二维成核时的成核功：;不同情况下成核对比：;j;成核功：;二、成核的原子模型;均匀成核：;热力学模型;m;产生表面和界面净增加的能量：;讨论：1、粗略近似下，成核理论的原子模型与热力学模型的结论相仿。 2、精确考虑时(量子力学计算)，自由能与核尺寸的关系分段，可能有多个最小值(magic number)。;原子模型下的临界核与温度的关系;同质外延时的单层核与双层核：;异质外延时的单层核与双层核：;DU1=－8UAB-10UAA;r;UAB/UAA;;岛状生长;Adsorption isotherms corresponding to the three growth modes. Dm represents the chemical potential of the growing deposit relative to the bulk material, and q the coverage in ML. In (b) two stable intermediate layers are indicated;Stability regions of the three film growth modes in coordinates of surface energy difference between film and substrate and lattice misfit.;二维生长时临界晶核的大小：;AES谱分析薄膜生长的三种模式;问题1：A /B 和 B / A ??