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《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题库 一、填空题（30分=1分*30）10题/章 晶圆制备 用来做芯片的高纯硅被称为（ 半导体级硅 ），英文简称（ GSG ），有时也被称为（ 电子级硅 ）。 单晶硅生长常用（ CZ法 ）和（ 区熔法 ）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（ 硅锭 ）。 晶圆的英文是（ wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 锗 ）。 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（ 单晶生长 ）、整型、（ 切片 ）、磨片倒角、刻蚀、（ 抛光 ）、清洗、检查和包装。 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（ 100 ）、（110 ）和（111 ）。 CZ直拉法生长单晶硅是把（ 融化了的半导体级硅液体 ）变为（ 有正确晶向的 ）并且（ 被掺杂成p型或n型 ）的固体硅锭。 CZ直拉法的目的是（ 实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中 ）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（ 拉伸速率 ）和（ 晶体旋转速率 ）。 晶圆制备中的整型处理包括（ 去掉两端 ）、（ 径向研磨 ）和（ 硅片定位边和定位槽 ）。 制备半导体级硅的过程：1（ 制备工业硅 ）；2（ 生长硅单晶 ）；3（ 提纯）。 氧化 二氧化硅按结构可分为（