集成电路版图设计习题答案第六章二极管与外围器件.docVIP

第6章 二极管与外围器件 【习题答案】 1．在标准CMOS集成电路制造工艺下，二极管主要包括（衬底二极管）和（阱二极管）两种。 2．请画出标准CMOS工艺的环状结构二极管的版图示意图。 答： 图 环状结构衬底二极管示意图 图 环状结构阱二极管示意图 3．请解释衬底二极管和阱二极管在集成电路中作用的区别。 答：衬底二极管与阱二极管制作的方法不同，二者的作用也不相同。以CMOS P型衬底N阱工艺为例，由于P型衬底必须接电路的最低电位，才能保证整个芯片上电路的正常工作，因此衬底二极管只能应用于ESD保护中输入到负电源的保护通路。而阱二极管制作在N阱里，对于N阱工艺，N阱可以接最高电位，也可不接最高电位。如果接最高电位，将形成ESD保护中的输入到正电源的保护通路。如果不接最高电位，则可将其应用于一般电路中。 4．请分析静电放电对MOS集成电路的损坏。 答：当一高电势的带电体接触到电路的外引脚时，静电放电（ESD）现象就会发生。由于MOS器件的栅极下面存在二氧化硅层，所以具有极高的绝缘电阻。当在栅极发生静电放电而栅极又处于浮置状态时，静电感应的电荷无法很快地泄放掉，而该氧化层又非常薄，静电感应电荷使得栅极与衬底之间会产生非常高的电场，一旦该电场强度超过栅极氧化层的击穿电压，则会发生栅极击穿导致MOS器件损坏。栅极氧化层被击穿后，栅极与沟道之间的电阻变得很低，而且栅极失去了对沟道电流的