集成电路版图设计习题答案第二章集成电路制造工艺.docVIP

集成电路版图设计习题答案第2章 集成电路制造工艺 【习题答案】 1．硅片制备主要包括（直拉法）、（磁控直拉法）和（悬浮区熔法）等三种方法。 2．简述外延工艺的用途。 答：外延工艺的应用很多。外延硅片可以用来制作双极型晶体管，衬底为重掺杂的硅单晶（n+），在衬底上外延十几个微米的低掺杂的外延层（n），双极型晶体管（NPN）制作在外延层上，其中b为基极，e为发射极，c为集电极。在外延硅片上制作双极型晶体管具有高的集电结电压，低的集电极串联电阻，性能优良。使用外延硅片可以解决增大功率和提高频率对集电区电阻要求上的矛盾。 b b e n+ p SiO2 n-Si外延层 n+Si衬底 c 图 外延硅片上的双极型晶体管 集成电路制造中，各元件之间必须进行电学隔离。利用外延技术的PN结隔离是早期双极型集成电路常采用的电隔离方法。利用外延硅片制备CMOS集成电路芯片可以避免闩锁效应，避免硅表面氧化物的淀积，而且硅片表面更光滑，损伤小，芯片成品率高。外延工艺已经成为超大规模CMOS集成电路中的标准工艺。 3．简述二氧化硅薄膜在集成电路中的用途。 答：二氧化硅是集成电路工艺中使用最多的介质薄膜，其在集成电路中的应用也非常广泛。二氧化硅薄膜的作用包括：器件的组成部分、离子注入掩蔽膜、金属互连层之间的绝缘介质、隔离工艺中的绝缘介质、钝化保护膜。 4．为什么氧化工艺通常采用