集成电路版图设计习题答案第八章MOS场效应晶体管.docVIP

集成电路版图设计习题答案第8章 MOS场效应晶体管 【习题答案】 1．请画出MOS晶体管的结构示意图。 答： 2．请简述MOS晶体管各个版图层的作用。 答：阱层（Well）：阱层定义在衬底上制备阱的区域。NMOS管制备在P型衬底上，PMOS管制备在N型衬底上。一块原始的半导体材料，掺入的杂质类型只能有一种，即该衬底不是N型就是P型。如果不对衬底进行加工处理的话，该衬底只能制备一种MOS晶体管。CMOS集成电路是把NMOS晶体管和PMOS晶体管制备在同一个硅片衬底上，为了能够制造CMOS集成电路，需要对衬底进行处理，利用掺杂工艺在衬底上形成一个区域，该区域的掺杂类型和衬底的掺杂类型相反，这个区域就称为阱。 有源区层（Active）：有源区层的作用是在衬底上定义制作有源区的区域，该区域包括源区、漏区和沟道。在衬底上淀积厚氧化层，利用光刻和刻蚀工艺在衬底上开窗口并把厚氧化层除去就可形成有源区，有源区之外的区域是场区。显然，MOS管必须而且只能制备在有源区内。 多晶硅层（Poly）：多晶硅层的作用是定义制作多晶硅材料的区域。最早的MOS集成电路制造工艺只能制备一层多晶硅，而现在已经有能够制备两层多晶硅的工艺了。对于双层多晶硅工艺，第一层多晶硅主要用来制作栅极、导线和多晶硅—多晶硅电容的下极板，第二层多晶硅主要用来制作多晶硅电阻和多晶硅－多晶硅电容的上极板。双层多晶硅工艺具有多晶硅1和多晶