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TRACK 工艺简介 潘川 2002/1/28 摘要 本文简要介绍关于涂胶、显影工艺的一些相关内容。 引言 超大规模 IC对光刻有五个基本要求，即：高分辨率、高灵敏度、精密的套刻 对准、低缺陷和大尺寸上的加工问题（如温度变化引起晶圆的胀缩等）。这五个 基本要求中，高分辨率、高灵敏度和低缺陷与涂胶、显影工艺有很密切的关系。 第一节 涂胶工艺 1 光刻胶 光刻胶主要由树脂（ Resin）、感光剂（ Sensitizer）及溶剂（ Solvent）等不 同材料混合而成的，其中树脂是粘合剂（ Binder ） , 感光剂是一种光活性 （Photoactivity ）极强的化合物，它在光刻胶内的含量和树脂相当，两者同时溶 解在溶剂中，以液态形式保存。 除了以上三种主要成分以外， 光刻胶还包含一些 其它的添加剂（如稳定剂，染色剂，表面活性剂）。 光刻胶分为正胶和负胶。负胶在曝光后会产生交联（ Cross Linking）反应，使 其结构加强而不溶解于显影液。 正胶曝光后会产生分解反应， 被分解的分子在显 影液中很容易被溶解，从而与未曝光部分形成很强的反差。因负胶经曝光后， 显 影液会浸入已交联的负性光刻胶分子内， 使胶体积增加， 导致显影后光刻胶图形 和掩膜版上图形误差增加， 故负胶一般不用于特征尺寸小于的制造。 典型的正胶 材料是邻位醌叠氮基化合物， 常用的负胶材料是聚乙稀醇肉桂酸酯。 CSMC-HJ用 的是正性光刻胶。 在相同的光刻胶膜厚和曝光能量相同时，不同光刻胶的感光效果不同。在一 定的曝光波长范围内，能量低而感光好的胶称为灵敏度，反之则认为不灵敏。 我 们希望在能满足光刻工艺要求的情况下， 灵敏度越大越好，这样可减少曝光时间， 从而提高产量。 2 涂胶 涂胶是在结净干燥的圆片表面均匀的涂一层光刻胶。常用的方法是把胶滴在 圆片上，然后使圆片高速旋转， 液态胶在旋转中因离心力的作用由轴心沿径向飞 溅出去， 受附着力的作用，一部分光刻胶会留在圆片表面。在旋转过程中胶中所 含溶剂不断挥发，故可得到一层分布均匀的胶膜。 涂胶过程有以下几个步骤： 1.1 涂胶前处理（ Priming）： 要使光刻胶精确地转移淹膜版上的图形，光刻胶与圆片之间必须要有 良好的粘附。在涂胶之前，常采用烘烤并用 HMDS （六甲基二硅胺）处理 的方法来提高附着能力。 因圆片表面通常含有来自空气中的水分子，在涂胶之前，通常将圆片 进行去水烘烤以蒸除水分子。我们一般采用 100℃/5s. 经过烘烤的片子， 涂一层增粘剂 HMDS。 涂 HMDS 的方法通常有两种，一种是旋转涂布法，这种方法的原理同 光刻胶的涂布方法。另一种是汽相涂底法（ Vapor Priming）,是将气态的 HMDS在圆片表面形成一层薄膜。汽相涂底法效率高，受颗粒影响小，目 前生产中大多采用此法，并与去水烘烤在同一容器中完成。 CSMC-HJ的 HMDS 处理工艺为 100℃/55s 。确认 HMDS 的效