半导体光电子学作业二答案.docVIP

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作业二 1 在二极管激光器中,端点电流为I, 有源区旁路电流为Ib,载流子在复合之前泄漏出有源区的电流为I1 , 在有源区内进行非幅射复合的电流为Inr , 在有源区内进行自发发射的电流为Isp , 在有源区外进行自发发射和非幅射复合的电流分别为I’sp 和I’nr , 在有源区内进行受激发射的电流为Ist 。 (a) 内部效率是多少 ? 内部效率?i:端点电流中在有源区产生载流子的部分比例 ( b) 如果在阈值以上测量到的外部微分效率为?d , 镜面损耗与腔体总损耗之间的比值是多少 ? , (c) 当工作在阈值以下时, 辐射效率是多少? 2 波长为 1.3μm 的 InGaAsP /InP 二极管激光器腔体的光损耗速率为 4x1012s-1。 (a) 光子寿命是多少 ? (b) 阈值模式增益是多少 ? 设, 3 在一个长为 400μm 、具有解理面的 1. 55μm InGaAsP /InP 多量子阱激光器中 , 内部效率和损耗分别为 80% 和 10 cm-1 。 (a) 阈值模式增益是多少 ? 设模式等效折射率n=3.3, (b) 微分效率是多少 ? (c) 轴向模式间隔是多少? 设模式等效群折射率, 4 1. 55μm InGaAsP DBR 激光器由一个 500μm 长的有源节段与一个 500μm 长的无源光栅节段对接而成。光栅的耦合常数与长度的乘积为κLg=l 。有源节段的另一端为解理面。有源节段的内部效率为 70% , 穿过两个节段的平均内部模式损耗为 20 cm-1。请问?d1和?d2是多少 设模式等效折射率n=3.3, 5 对于习题4, 激光器每端输出的 MSR 是多少 ? 如果使光栅更强从而有κLg =2, 两端输出的微分效率和 MSR 分别是多少 ? DBR谐振条件: ? 纵模间隔 设一纵模与DBR反射峰中心重合,则边模detuning: For edge emitting DBR laser, 设 对于κLg =2, For edge emitting DBR laser,

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