集成电路设计原理第八章 模拟集成电路基础.pptVIP

* * 8.5.3 双极型模拟开关3.互补型电压开关 V控 -Vref V+ VS T1 T2 T3 V- VB VA 当V控为高电平时， T1截止， VA、 VB降低，使T3 管饱和导通， T2截止，输出电压VS约为-Vref 。 当V控为低电平时， T1导通， VA、 VB升高，使T2 管饱和导通， T3截止，输出电压VS约为0V 。 * * 8.5.3 双极型模拟开关3.互补型电压开关 V控 -Vref V+ VS T1 T2 T3 V- VB VA 特点： T2 、T3是接成共集电极状态，称为反接状态，其饱和压降比正接状态的小得多，有利于提高开关精度。 * * 8.5.4 MOS型模拟开关1.MOS型开关的特点 a)是理想的电压开关: 当MOS管非饱和导通时，源极与漏极间不存在固有的直流失调电压，这是因为它没有向双极器件那样的结电压，其漏极伏安特性都精确地经过原点。 b)是理想的电流开关:MOS作为开关控制的栅极与信号回路是电隔离的，它们之间无直流通过。 c)是理想的双向开关:MOS正向和反向工作具有相同的性能，漏特性相对原点是对称的。 * * 8.5.4 MOS型模拟开关2.导通电阻 a)NMOS单沟模拟开关: IDS= Kn[2(VGS-VTn) VDS-VDS2] G D S Vi Vo V控 ron= = ?VDS ?IDS 2Kn (VGS-VTn –VDS) 1 Kn= ?n?ox ?o 2 ( W L )n 其中： VDS?0 VGS = V控- Vi ron VGS VTn 0 V控- Vi * * 8.5.4 MOS型模拟开关2.导通电阻 b)PMOS单沟模拟开关: IDS= Kp[2(|VGS|-|VTp|) |VDS|-VDS2] G D S Vi Vo V控 ron= = ?VDS ?IDS 2Kp (|VGS| - |VTp| –|VDS|) 1 Kp= ?n?ox ?o 2 ( W L )n 其中： VDS?0 VGS = V控- Vi ron VGS VTp 0 V控- Vi * * 8.5.4 MOS型模拟开关2.导通电阻 c)CMOS双沟模拟开关: 取： Kn= Kp= K Gn D S Vi Vo VDD Gp 0 ron Vi ronn ronp ron= 2K (1/2VDD-VTn - |VTp| –2VDS) 1 可见，CMOS模拟开关在一定条件下， ron近似为常数。 VDS?0 VDD-VTn |VTp| * * 8.5.4 MOS型模拟开关3.寄生电容 G D S Vi Vo V控 （1）电容馈通效应 模拟开关最严重的限制之一就是时钟馈通效应(也称作电荷注入或电荷馈通)。 时钟馈通是由于栅到源和漏的寄生电容(Cgs，Cgd)引起的。栅控脉冲信号会耦合到模拟开关的输入和输出端，从而造成对模拟信号的干扰。 * * 8.5.4 MOS型模拟开关3.寄生电容 G D S Vi Vo V控 （1）电容馈通效应 电荷注入涉及一个复杂的过程，引起的影响取决于注入晶体管的版图、尺寸、源极和漏极节点的阻抗和栅基的波形等一系列因素。 * * 8.5.4 MOS型模拟开关3.寄生电容 减小器件尺寸可以减小寄生电容，减小干扰，但是，模拟开关的导通电阻也随之增加。 （2）电荷抵消技术 MB 为“虚开关”，其尺寸与开关管MA相当。 MB栅上加的脉冲信号与MA栅上加的脉冲信号反相，因此，两个脉冲信号所引起的干扰得到平衡，减小了干扰。 G D S Vi Vo V控 G- V控- MA MB * * §8-6 开关电容等效电阻电路 在模拟集成电路中经常需要大阻值的电阻，而且对阻值的精度要求较高，若采用常规方法制作，不但占用面积大，精度也难以保证。一般可采用MOS开关和MOS电容组成的开关电容等效电阻电路来实现。 * * 思考题1. 开关电容等效电阻电路的结构有哪几种？