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毯覆性鋁蝕刻 SiO2 (Micrograph courtesy of Integrated Circuit Engineering) 照片 12.2 插塞 多晶矽閘極 金屬沈積系統物理氣相沈積 蒸鍍 濺鍍 金屬CVD 銅電鍍 簡易的蒸鍍機 粗抽幫浦 高真空閥 高真空幫浦 製程反應室(鐘罩式) 坩鍋 蒸鍍金屬 晶圓承載器 圖 12.15 濺鍍的優點 易於沈積且可維持合金成分。 可沈積高溫及耐高溫金屬。 可控制沈積均勻的薄膜於大晶圓上(200nm或更大)。 多重反應室群集機台可於金屬沈積前清除晶圓表面污染物及原生氧化物 (稱之為現場濺鍍蝕刻 (in situ sputter etch)。 DC二極濺鍍系統之簡單平行板 抽出 e- e- e- DC二極濺鍍機 基板 1)電場形成Ar 離子 2)高能Ar 離子撞擊金屬靶 3)金屬原子從 靶材移出 陽極 陰極 氬原子 電場 金屬靶 電漿 5)基板上沉積金屬 6)過多的物質藉由真空幫浦從反應室中移出 4)金屬原子往基板移動 氣體傳送 + + + + + 圖 12.16 從濺鍍靶材表面移出金屬原子 + 0 高能?Ar 離子 被濺擊出之金屬原子 金屬原子 陰極 (－) 反彈之氬離子和自由電子結合以形成中性原子 圖 12.17 濺鍍產額和下列條件有關係 1.轟擊離子的入射角。 靶材的組成及幾何形狀 轟擊離子的質量。 轟擊離子的能量。 落於基板上之不同物質 陽極(+) 陰極(－) 電場 金屬靶 源自輝光電漿之光子 濺擊出之原子 基板 高能電子 中性原子 ＋離子包含雜質 源自靶轟擊之X射線 －離子 – e- 圖 12.18 3種濺鍍系統形式 RF(射頻) 磁控 IMP(離子化金屬電漿) RF濺鍍系統 氬氣 氣體流量控制器 渦輪幫浦 RF產生器 匹配之網路 微控制器 操作介面 抽出 平盤 電極 靶材 基板 電容 粗抽幫浦 壓力控制器 氣體盤 圖 12.19 磁控濺鍍 DC功率供應 熱晶圓平盤 磁鐵 氬氣進入 真空幫浦 靶材 陰極 圖 12.20 準直管濺鍍 介質孔之濺鍍薄膜覆蓋之橫切面 Ar 靶材 準直管 準直管濺鍍系統 圖 12.21 離子化金屬電漿 基板 電極 電極 鈦靶材 + + RF場 高能＋Ar 離子 ＋Ti離子 濺擊出之Ti原子 e- e- 電漿 DC供應 RF產生器 DC場 DC偏壓供應 圖 12.22 感應線圈 * * * * * 半導體製造技術第 12 章金屬化 課程大綱 解釋金屬化之專有名詞。 能列出和說明晶圓製造中6種金屬。討論每一種金屬的特性要求及應用。 能解釋銅金屬化在晶圓製造中之優點。描述銅製程之挑戰性。 敘述濺鍍之優點及缺點。 敘述濺鍍之物理特性及討論不同的濺鍍工具及應用。 敘述金屬CVD之優點及應用。 解釋銅電鍍之原理。 描述雙鑲嵌式製程之流程。 多層金屬化 層間介電質 金屬內連線結構 矽基板之擴散區 次0.25微米CMOS橫切面 具有鎢插塞之介 質孔內連線結構 金屬堆疊內連線 區域內連線(鎢) 初始金屬接觸 圖 12.1 傳統及鑲嵌式金屬化 傳統內連線流程 氧化層介質孔-2蝕刻 鎢沈積＋CMP 金屬-2沈積＋蝕刻 蓋ILD層及CMP 雙鑲嵌式流程 蓋ILD層及CMP 氮化物蝕刻停止層(圖案化及蝕刻) 第二ILD層沈積及蝕刻穿過二氧化層 銅充填 銅CMP 圖 12.2 銅金屬化 (Micrograph courtesy of Integrated Circuit Engineering) 照片 12.1 導電性 附著性 沈積 圖案及平坦化 可靠度 腐蝕性 應力 成功的金屬材料之需求 矽及選用晶圓製造的金屬 (在20℃) 表 12.1 晶圓製造中所用的金屬及合金 鋁 鋁－銅合金 銅 阻障層金屬 矽化金屬 金屬插塞 鋁內連線 圖 12.3 金屬-5接合墊 (鋁) 上層氮化物 金屬-4 介質孔-4 金屬-3 金屬-4是位於其他介質孔、層間介電質和金屬層之上 歐姆接觸結構 閘極 阻障層金屬 歐姆接觸 鋁、鎢、銅等 源極 汲極 氧化層 圖 12.4 接面尖峰 接面短路 淺接面 圖 12.5 金屬線上小丘狀 二金屬線間小丘狀導致短路 金屬線內之凹洞 圖 12.6 銅內連線的優點 1. 降低電阻率 鋁內連線電阻率為2.65??-cm，而銅可降至1.678??-cm 2. 降低功率消耗 緊密的構裝密度 4. 優越的抗電遷移性 5. 較少的製程步驟 減少20至30%之製程步驟。 和0.25?m元