半导体制造学-微影對準與曝光.pptVIP

雷射導致透鏡緊密化 透鏡緊密區域 圖 14.17 在小開口光繞射之干涉圖案 光直線前進 當光碰及目標物邊緣產生繞射 當光波經由窄長條時產生繞射帶或干涉圖案 繞射帶 圖 14.18 標線板圖案中之繞射 狹縫 繞射光線 平面光波 圖 14.19 透鏡捕捉繞射光 UV 0 1 2 3 4 1 2 3 4 透鏡 石英 鉻 繞射光 光罩 圖 14.20 數值孔隙對影像之影響 圖 14.21 曝光 透鏡NA 針孔罩幕 影像結果 繞射光 好 差 不佳 用於微影機台中常用之NA值 表 14.5 由於光反射造成光阻反射性凹曲 多晶矽 基板 STI STI UV曝光 光罩 受曝光之光阻 未曝光 之光阻 凹曲之光阻 邊緣繞射 表面反射 圖 14.22 光阻中入射與反射光波干涉 沿著光阻薄膜厚度駐波造成不均勻曝光 反射波 反射波 光阻 薄膜 基板 圖 14.23 光阻中駐波之影響 (Photo courtesy of Grant Willson’s research group at the University of Texas at Austin) 照片 14.1 塗佈抗反射層以防止駐波 抗反射層塗佈染色及濾波可防止干涉 入射光 抗反射層 光阻 薄膜 基板 圖 14.24 底面抗反射塗佈抑制光 BARC 多晶矽 基板 STI STI UV曝光 光罩 受曝光之光阻 未曝光 之光阻 圖 14.25 BRAC之光相移消除 (A)入射光 光阻 BARC (TiN) 鋁 由於相差C和D相消除 (B)上表面反射 (C) (D) 圖 14.26 上面抗反射塗佈 入射光 光阻 光阻－基板反射 基板 入射光 光阻 基板反射 基板 上面抗反射塗佈以吸收基板之反射 圖 14.27 光學雕像術 解析度 解析度計算 聚焦深度 解析度與聚焦深度 表面平坦化 尺度大小之解析度 線寬和間隙大小必須相等，當特徵尺寸縮小時，要分辨是很困難的。 圖 14.28 已知 ?、NA及k值，計算解析度 透鏡 , NA 晶圓 光罩 光源，? R k = 0.6 ????? ?? ???R 365 nm 0.45 486 nm 365 nm 0.60 365 nm 193 nm 0.45 257 nm 193 nm 0.60 193 nm i-line DUV k ? NA R = 圖 14.29 聚焦深度 (DOF) + - 光阻 薄膜 聚焦深度 聚焦中心 透鏡 圖 14.30 不同NA之解析度和場深度 ????? 2(NA)2 DOF = 光阻 薄膜 聚焦深度 聚焦中心 + - 透鏡 , NA 晶圓 光罩 光源 , ? DOF ????? ?? ???R DOF 365 nm 0.45 486 nm 901 nm 365 nm 0.60 365 nm 507 nm 193 nm 0.45 257 nm 476 nm 193 nm 0.60 193 nm 268 nm i-line DUV 圖 14.31 微影設備 接觸式對準機 近接式對準機 掃描投影式對準機 步進且重複式對準機(步進機) 步進且掃描式系統 接觸／近接式對準機系統 光源 對準顯微鏡 光罩 晶圓 真空平盤 光罩平台 (X, Y , Z , ) 晶圓平台 (X, Y, Z, ) 汞弧燈 (Used with permission from Canon USA) 圖 14.32 近接式對準機之邊緣繞射及表面反射 UV 光罩 邊緣之光繞射在光罩產生反射，造成光阻曝光不佳。 UV曝光 基板 光阻 繞射及反射光 蓋 光罩 基板 圖 14.33 掃描式投影對準機 光罩 晶圓 汞燈 光源系統 投影光學系統 掃描方向 曝光(UV光之窄狹縫逐漸將全光罩場掃描至晶圓上) 圖 14.34 步進且重複式對準機 (步進機) (Used with permission from Canon USA, FPA-3000 i5) 圖 14.35 自動對準系統 光罩平台 標線板收藏盒 標線板支撐 晶圓支撐 晶圓平台 自動對焦系統 抗振動系統 5:1縮影透鏡 NA=.45 - .63 發光器(汞燈 365nm) 步進機曝光場 UV光 標線板場大小20mm?15mm每場4晶粒 5：1縮影透鏡 晶圓 於晶圓1/5或4mm?3mm標線板場上曝光，每次曝光4個晶粒 層層捲繞之步進圖案 圖 14.36 步進且掃描之晶圓曝光場 5:1鏡片 UV UV 步進且掃描 掃描