半导体制造学-離子植入.ppt

用於高能量植入機之線性加速器 離子源 原子量分析磁鐵 線性加速器 終端能量分析磁鐵 掃描圓盤 晶圓 圖 17.17 空間電荷的中性化 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 具空間電荷中性化 之離子束的橫切面 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 束膨大之橫切面 摻質離子 二次電子 圖 17.18 中性束捕捉 離子源 分析用磁鐵 加速器 中性束捕捉 聚焦陽極 Y軸偏向 X軸偏向 中性束路徑 晶圓 離子束 接地收集板 (Used with permission from Varian Semiconductor Equipment) 圖 17.19 晶圓之靜電式離子束掃描 正離子束 Y軸偏向 X軸偏向 晶圓 扭轉 傾斜 高頻之X軸偏向 低頻的Y軸偏向 圖 17.20 植入之遮蔽效應 光阻 a)無傾斜之機械式掃描 離子束 b)具正常傾斜之靜電式掃描 光阻 離子束 圖 17.21 植入晶圓之機械式掃描 掃描外徑 掃描內徑 植入面積 (計算值) 溢出杯 旋轉 離子束 (Used with permission from Varian Semiconductor Equipment, VIISion 80 Ion Implanter) 圖 17.22 用於晶圓充電控制之電子簇射器 (Used with permission and adapted from Eaton NV10 Ion Implanter, circa 1983) + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 離子束 負偏壓縫隙 電子槍 二次電子靶材 二次電子 正離子束復合 晶圓 圖 17.23 電漿溢滿對晶圓充電之控制 負偏壓縫隙 Ion beam 已中性化之原子 晶圓掃描方向 電流(劑量) 監控器 電漿電子溢滿反應室 氬氣入口 電子發射 反應室壁 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + S N S N + + + + + + + + Ar Ar Ar 圖 17.24 離子植入器之終端站 (Photo courtesy of International SEMATCH) 照片 17.3 用於植入製程反應室之晶圓搬運裝置 (Used with permission from Varian Semiconductor Equipment, VIISion 200 Ion Implanter) VIISion 終端站 製程反應室 終端次系統 離子源次系統 植入次系統 操作者介面 晶圓卡匣裝卸 晶圓搬運器 掃描圓盤 影像監控器 壁 圖 17.25 * * 半導體製造技術第 17 章離子植入 課程大綱 解釋晶圓製作中，摻雜的目的與應用。 討論摻質擴散的原理與製程。 提供有關離子植入之概要說明，包括它的優缺點。 討論離子植入時，有關劑量與範圍的重要性。 列出並描述離子植入所需之5項主要次系統。 解釋何謂離子植入之回火及通道效應。 描述出離子植入的不同應用。 半導體製程中慣用的摻質 表 17.1 具各種摻雜區之CMOS結構圖 n通道電晶體 p通道電晶體 LI氧化層 p– 磊晶層 p+ 矽基板 STI STI STI n+ p+ P 井 p+ p– p+ p– p+ n+ n– n+ n– n+ A B C E F D G H K L I J M N O n+ n n++ p+ p p++ 圖 17.1 n井 晶圓製作中慣用之摻質製程 表 17.2 在晶圓製作流程中之離子植入 (Used with permission from Advanced Micro Devices) 植入 擴散 測試/分類 蝕刻 研磨 黃光 已完成晶圓 未圖案化晶圓 啟始晶圓 薄膜 晶圓製作 (前段) 硬罩幕(氧化物或氮化物) 植入後回火 光阻罩幕 圖 17.2 矽晶圓之摻雜區 氧化物 氧化物 p+ 矽基板 摻質氣體 N 擴散區 圖 17.3 擴散 擴散原理 三步驟 預沉積 趨入 活化 摻質移動 固體溶解度 橫向擴散 擴散製程 晶圓清潔 摻質源 摻質在矽中之擴散 位於間隙位置之被取代的矽原子 Si Si Si Si Si Si Si Si Si c)力學式間隙取代 Si Si Si Si Si Si Si Si Si a)矽晶格結構 b)取代擴散 Si Si S