半导体制造学-製程反應室之氣體控制.pptVIP

* * 半導體製造技術第 8 章製程反應室之氣體控制 課程大綱 解釋為何製作半導體之過程需要於反應室進行。 敘述真空環境之優點、真空範圍與其相關的幫浦。 說明真空反應室之氣體流動特性與其控制方法。 說明殘留氣體分析器(RGA)與其應用在反應室之優點。 討論電漿與其產生過程。 敘述製程反應室之污染效應與其防制之道。 製程反應室的功能 控制製程反應室之化學氣體流入，並使化學反應儘量靠近晶圓。 維持真空環境內規定的壓力。 移除水分、空氣與反應的副產物。 產生化學反應所需的電漿。 以加熱與冷卻方式控制晶圓的溫度。 1960年前期的真空鐘形罩 鐘形罩 隔離閥 氣體分子 真空幫浦 排出 圖 8.1 整合群集工具 製程反應室 晶片定位 晶片操作裝置 冷卻室 裝／卸載站 (Used with permission from Applied Materials, Inc.) 圖 8.2 真空 真空的優點 真空範圍 平均自由路徑 半導體製程中真空的優點 表 8.1 真空範圍 表 8.2 平均自由路徑及分子密度與壓力之關係 表 8.3 真空幫浦 粗抽幫浦 -乾式機械幫浦 -鼓風／推進幫浦 高真空度幫浦 -渦輪分子幫浦 -低溫幫浦 整合設備之真空考慮 粗抽幫浦排出自高真空幫浦送來的氣體 粗抽幫浦 高真空閥 高真空幫浦 製程反應室 圖 8.3 旋轉爪形乾式機械幫浦 排氣口 壓縮氣體 轉子 進氣口 外罩定子 (a) (b) (c) Used with permission from International SEMATECH 圖 8.4 Roots鼓風幫浦 幫浦排氣口，連接粗抽幫浦 幫浦進氣口，連接製程室 葉形輪反向旋轉，以 將氣體往出氣口排除 圖 8.5 渦輪幫浦葉片 轉子 定子 馬達 排氣口 進氣口 定子 連結至幫浦 外罩之定子 轉子 (Used with permission from Varian Vacuum Systems) 圖 8.6 低溫幫浦壓縮機和幫浦組件 低溫幫浦外罩 冷卻部 氣體管路 排氣口連接至粗抽幫浦 進氣口連接至製程室 壓縮機 (Used with permission from Varian Vacuum systems) 圖 8.7 幫浦組件的低溫陣列圖 第一層低溫陣列 第二層低溫陣列 水蒸氣 N2, O2, Ar H2, He, Ne (Used with permission from Varian Vacuum systems) 圖 8.8 真空環境下群集工具配置圖 晶圓定向 ?中度真空 晶圓匣裝／卸區 ?大氣壓～中度真空 蝕刻製程反應室 ? 機械幫浦當作前級幫浦，再以渦輪幫浦抽氣 晶圓傳送反應室 ?中度真空 ?機械粗抽幫浦 圖 8.9 製程反應室內氣體流動 製程反應室內氣體流動之基本條件為： 具備控制多種氣體 (包括本體氣體與特殊氣體) 之能力，因為這些氣體或許具備腐蝕性或毒性。 精準且可重複的控制氣體流動。 製程進行中，能夠控制氣體之混和組成比例。 製程所選用的通入氣體不會改變製程反應室內之材料，且不會增加污染物於氣體。 熱質流控制器 (Used with permission from International SEMATECH) 圖 8.10 加熱線圈 感應線圈 測量管 氣流 閥 旁通管 測量和控制電子 質流控制器 照片 8.1 (Photo courtesy of MKS Instruments, Inc.) 殘留氣體分析器的基本組件 +V +V -V + + + + - + + + - - - - + - - - + + + + -V -V - - - - - - - - - - - -V + -V 在製程反應室內，電子與原子碰撞並形成離子。 熱燈絲產生高能電子。 根據所量測之特定離子電流強度，檢測器將此訊號轉換為質譜圖。 受到一個大的負電壓作用，正離子快速移動。 分別具有不同DC及RF之4個圓柱棒，依據 不同之質量電 荷比以過濾離 子。 游離器 孔徑 四極質量分析器 檢測器 RGA感應器前端 圖 8.11 四極質量過濾器 選擇特定的質量－電荷正離子來作樣本 駁回的正離子 圖 8.12 RGA資料輸出 高真空度幫浦 製程反應室 Relative Ion Signal Intensity 0 100 50 Mass Number 14 44 16 18 22 28 58 32 Ne N2 H2O O2 N CO2 8 9 0 7 2 3 B 1 5 6 C 4 RGA 感應器 圖 8.13 * *