半导体光学13无序系统 局域态.pptVIP

易局域（迁移率与有效质量成反比）. ③低维无序系统 越大,这意味着粒子越 若有效质量越大, ●混晶加宽. 混晶在边界的内扩散和偏析效应. ●阱宽起伏. 至少在原子或分子层数量级. 载流子局域的范围大于阱宽. ④非晶体半导体 ●最强的无序系统：仅存在短程有序. 平移矢量没有意义. ●无序产生的能尾覆盖整个能隙. ●悬挂键在能隙中产生能级缺陷,可能有两种状态：释放出未成键的电子成为正电中心,这是施主态；接收第二个电子成为负电中心,这是受主态， 3.相干背散射产生的弱定域 考虑非理想半导体：存在随机分布的弹性散射中心. 粒子由A达到B的几率为从A达到B所有可能路径的几率幅 求和的 模方，即 其中第一项表示从A到B点经典的扩散几率，第二项表示不同路径间的量子干涉. 在宏观系统中，由于许可的路径数很多，路径的长度，走向由明显不同，几率幅的位相有显著差别，导致对所有路径求和时，干涉项的平均值因不同路径位相的非关联性而消失,即 对于背向散射， 干涉项中唯一不为零的项是对应一条自相交路径,该过程对应弹性碰撞过程，散射前后波矢满足 每次散射所导致 位相变化对时间反演具有对称性： 设C点电子位相为 第i次散射位相变化 为 这样反时针回到C的位相为 顺时针回到C的位相为 散射前后几率幅具有相同的绝对值, 于是 因此 干涉项为 相干背散射几率较强意味着电子回到某个点的几率较大，达到其它点的几率较小，这明显预示着电子局域的开始. 4.漫延团簇 ●团簇是由几个乃至上千个原子、分子或离子通过物理或化学结合力组成的相对稳定的微观或亚微观聚集体，其物理和化学性质随所含的原子数目而变化. 团簇 是材料尺度纳米材料的一个概念。 ⑨缺陷 ●点缺陷若失去正离子,则成为负电中心, 起受主作用；负离子空位,则成为正电中 心,起施主作用. 2.中度掺杂 ●杂质能级变成能带； ●杂质能带产生导电性； ●杂质电离能降低（载流子产生屏蔽）. 3.重度掺杂 ●能尾形成：杂质中心和主带中电子相互作用使得靠近禁带的电子状态向禁带中散开. ●能隙减小：施主粒子对电子作用，受主粒子对空穴作用，使得载流子能量降低. 10.10 无序系统 局域态 1.一般无序系统 ①周期势（Kronig–Penney势） (一个势阱相当一个原子) 为原子轨道, 由于势阱中波函数贯穿到势垒，由此产生有限重叠积分，具有能带B的布鲁赫态。 设 （存在长程位相关联） ②分类： 对角无序：阱宽不变，阱深无规则变化； 非对角无序：阱宽无规则变化,而阱深不变. ③ 强无序 仅存在局域态： 其中 ξ为局域长度. ξ越大，局域态范围 越大，粒子就越容易局域. ④ 弱无序 不仅存在局域态，还存在扩展态,即 （不存在长程位相关联） ⑤态密度 ●无序系统中，平移不变性已不成立. 倒易空间中平移倒格矢也不能保证波矢不 变，色散关系也失去意义. 严格地讲，原则上只能用态密度描述无序系统. ●迁移边ME: 扩展态与局域态的能量分界线. ●弱无序条件下， 扩展态态密度为 带尾中局域态密度为 鲁赫态. 接近布 ⑥对于维度 无序系统,极小的无序 原则上可以使所以态局域.在许多情况下, 局域长度可以超过样品长度. ①掺杂 ●如图为掺入非均匀浓度的施主杂质的半导体导带态密度. 2.半导体无序系统 若施主杂质浓度 很低,波函数不发生重叠，即 其中 为施主杂质浓度， 态密度为类δ函数. 对应施主束缚 一个电子状态. 施主可以束缚第2个自旋 相反电子. 由于库伦相互作用，对应两个 电子状态的能量升高，图中对应第2个峰. 随着 增加, 杂质能带. 施主波函数开始重叠,形成 增加导致杂质带的宽度增加, 最终浸没导带，形成态密度尾. ● T→0时的费米能级可能高于或低于迁移边,这取决于掺杂和可能通过受主补偿.若费米能级高于迁移边，则为金属，因为这种情况下T→0 ，系统具有一定的导电性;若费米能级低于迁移边，则为绝缘体.随着掺杂浓度增加，绝缘体跃迁为金属，这称为莫特跃迁. ②混和半导体 并非所有的混晶的x或y的变化范围都是0-1，另外， 具有可混合的能隙. 它们具有确定的晶格 结构（如闪锌矿或纤锌矿结构）. ●混晶 ●能隙 其中参数b描述 对x 线性关系的偏离,一般很小.但是对于 参数b很大,因此随着x增 加,混晶的能隙达到最小值(低于x=0,1能隙). ●无序的产生 在微观尺度上,阴离子在空间分布不均匀, 例如在 中,某处 离子少,而 另一处 离子多,因此会产生价带的起伏. 同理，阳离子在空间分布不均匀, 例如在 中的 会产生导带的起 伏, 这种起伏又导致局域态的产生. ●局域态 局域态 其中 为尾态（局域态）总数,与材料常 数和材料成分有关. 称为尾参数. 越大,则 越大. 越大,则