半导体光学18空间色散结果.pptVIP

若样品的厚度 透射光 很弱,与光谱仪的散射 光可比或更小.激子共振吸收产生的变化不明显. ②吸收边： ～ 吸收系数 在能量 范围 ～ 内下降3～4数量级之多. ③ 激子透射谱 ●能量 范围内,透射光强度不为 零(LPB传播),无禁带！ ●比较耦合振子系统的吸收系数 ●透射区存在FP模.比较非耦合振子的反射谱与透射谱. ●薄样品制作：厚度d～ 数量级， 用外延生长,而不是把厚样品研磨, 抛光制成.由此造成对晶格破坏,使得共振 阻尼非常大, ④GaAs吸收谱 ● GaAs与 和ZnO比较,玻尔半径较大, 减弱, 强度 以后激发态进入连续区. ●连续区吸收系数吸收系数 为常数 F为索末菲因子, 为振子强度， 为联合态密度. 因激子效应明显增强（虚线表示无激子 效应情况）. ●BEC束缚激子：平动能为0,吸收谱很窄.比较局域声子吸收谱（也很窄）. ⑤ 的乌尔巴赫尾 和 其中 为材料参数. 为 最低的自由激子能量, 随温度变化微弱. ●随着温度升高,吸收边变成吸收尾.这是因为电子从价带向导带跃迁过程中,除了吸收光子,还吸收声子,因此所吸收光子的能量减小.并且,温度越高,所声子激发越强, 吸收尾越长.发射声子，吸收光子能量增大,但是被更强的直接跃迁所掩盖. 4.发光谱 ①激子极化激元发光非常微扰（即使在低温下）. ▲半导体总发光效率 通常很低,对于 直隙材料, ▲原因： ●半导体内主要的复合过程是涉及缺陷中心非辐射复合过程（大部分辐射来自于 束 缚激子复合物,施主-受主对和其它缺陷中心）. ●激子极化激元在传播中可能被杂质或声子散射,或被俘获. ●内反射. 在许多情况下,光子即使达到介质表面还可能被反射回来.LPB中瓶颈处,折射率n=5,典型临界角 容易发生全反射. ●自由激子极化激元复合发光还受到小逃逸层的限制. 极化强度 相驰豫时间. 为 小逃逸层厚度 作为比较,共振区内, 对应带间跃迁,激发光穿透距离为 激子扩散范围为 ②光致发光 ●光子被吸收, 产生e-h对； ●光子在样品体内传播:e-h对扩散与复合； 瓶颈区域 激子经历寿命 后复合,发出光子, 该光子在晶体中传输一短距离后又产生新的激子,这是激子传输能量的一种重要形式,可以在相当大距离范围进行,已由发光实验直接观察到. ●最后激子复合向表面出射的光子. 在光致发光实验中,最强的激发（带间激发）一般发生在样品表面附近. 光子经过 多次循环过程,不会传播到远离表面处, 因此,最容易从光照面出射（称为前表面发光）.对薄样品,在激发光吸收较弱的情况下,背向发光（透射光）也是可能的. ③光谱 激发光谱PLE： 即发射光强度随激发 光频率的分布. * 14.2空间色散结果 ①多模传播 ②附加边界条件（ABC） ●一般边界条件 只有两个：法向，切向,因此无法确定 这三个量. ● ABC： 佩卡条件： 即激子不能从样品中 逸出,因而样品表面处的激子极化强度为零. 进一步修正：在一定厚度的表面层中不存 在激子,即存在无激子层. ●最小厚度为激子玻尔半径.由于外加电场可致激子电离,因此外加电场可使无激子层厚度增加. ●入射光多次反射,然后以多模形式在半导体中传播. ●合理解释了实验结果. 14.3 反射谱 透射谱 发光谱 1. 能带 ①底导带由 ,顶价带由 产生. ②产生的激子: 为单态激子, 为 三重态激子,与光场耦合微弱,属于偶极禁戒跃迁,在反射谱上没有显示. ③ 激子在 激子在 光场强耦合,即可以 产生激子极化激元. 方向上分别与 ④附加激子极化激元 ﹡时间反演对称性： t→-t,系统的运动规律不变，即运动规律不变和时间流逝的方向的先验取法无关，这种对称性就是运动反演对称性。 一般薛定谔方程为（不考虑自旋） 时间反演就是对以上方程求复共轭: 相应定态薛定谔方程为 周期势场中，电子的布鲁赫态为 以上定态薛定谔方程又可以表示为 故 即能带在第一布里渊区内也具有反演对称性. 产生附加激子极化激元. 导致B价带 存在线性项 与三重态激子 混合, —使得单态激子 而 ①反射率 这是由于空间散射的存 在,激子频率附近无禁带. 2.反射谱 ②比较耦合系统与非耦合系统的反射率： 主要由无激子层决定 激子频率处R与耦合系统的反射率 最接近.由于 因此对应激 子激发态的反射率减弱,R的最大值消失, 与 更加接近. ③对应R最小值频率 UPB从 开始, 线型分析,可以确定 借助复杂的 ④无激子层厚度对R的影响. ●无激子层存在使得R中 附近存在一个 “尖峰”，与实验结果相符,主要是由于无激子层中光的多次反射,也与UPB开始有关. ●随着无激子层厚度的增加,整个