半导体光学21多重束缚激子.pptVIP

态激子 3.光谱 ●反射谱 随着 激子能级产生塞曼分裂. ●透射谱 随着 和 产生塞曼能级 分裂. S点： 性点,两种偏振态能量发生转移,在透射谱产生一个“谷”. 各向同 激子能移随 变化 激子极化激元 激子 . ○双光子拉曼散射,△透射谱,□反射谱 能级的移动 ●磁致极化激元 产生8个激子支，9个激子极化激元支. 激子能级随 变化 与 激子比较, 更显著. ●朗道能级观察 条件： 问题解决：选择连续态激子,即自由电子空穴对,并且要求谱线线宽小于回旋能量, 即 16.2 电场 1.斯达克效应 在静电场 作用下,激子能级发生移动. 2.三维系统 要求 产生激子的能移与吸收谱线宽度 可比,即 这样, ～ 激子电离,或激子谱线因 碰撞加宽(载流子加速). 4.多重束缚激子 间隙半导体 CB：多谷； VB顶:简并. BEC跃迁过程角动量守恒不成立。 ●零声子辐射线对应于多重束缚激子复合物中m个e-h对向m-1个 e-h对跃迁过程. ●多重束缚激子复合物中e-h对越多, 辐射衰减越快. 5.反射谱 为了避免BEC之间相互作用(造成谱线加 宽),点缺陷密度必须很低（ ）. 这样, 点缺陷对折射率的调整太小, 因此 BEC在反射谱极少观察到. 15.2施主-受主对 相关跃迁 1. 施主-受主对 发光谱 根据能量守恒,可得 随着泵浦强度的增加, 施主-受主对增加,它们之间的平均距离 立值)减小, 施主-受主复合发光频率兰移,这是施主-受主复合的显著特征. (在晶体中取分 2.自由载流子向束缚载流子跃迁 CB VB e h 15.3禁带内跃迁(宽带半导体CdS,ZnO,ZnSe) 1. 禁带内缺陷态之间跃迁, 增加,这种 跃迁明显增强. 2. 内深中心起着复合中心的作用,减小 发光效率. 3.发光谱 15.4无序系统中激子 1.态密度 局域态密度 尾参数 对应一种半导体材料.关于 不对称. 越大,局 域态密度越大, 激子局域的几率越大. 2.吸收谱 区域Ⅰ：混晶或非晶半导体中杂质产生. 区域Ⅱ:局域态激子. 区域Ⅲ:扩展态激子, 3.发光谱 扩展态激子激发 局域态激子激发 CdS ●高能端发光谱与扩展态→局域态跃迁有关：扩展态激子在运动过程中被非辐射中心俘获，即发射声子被局域.该局域激子进一步辐射发光,或进一步达到更低的局域态. 局域激子能量越低,局域态密度越小, 局域激子驰豫几率降低. ●高温情况下,即 大部分局域激 子可以热激发到扩展态. 扩展态激子的行 为类似与自由激子,但是由于混晶散射,相驰豫时间很短. 第16章 外场影响下的激子 16.1磁场 1. 磁场强度划分 ①两个能量单位 电场：激子的里德堡常数 表示激子的 电离能. 磁场：激子的朗道能级 回旋能量为 其中 是激子约 化质量. 朗道能级跃迁满足 激子能量 其中 为磁场不存在下能带极值. 平行磁场波矢. 为 态密度 类似一维 态密度. 为 时态密度. ②三个范围 ●弱磁场： 即 磁场视为微扰. ●强磁场： 即 首先考虑朗道能级,然后考虑库仑能量. ●中等强度磁场： ～ 2.能级变化 ①抗磁移动 ●基态激子 角动量为0,因此固 有磁矩为0.但是在磁场作用下,由于电子 和空穴受到洛伦兹力的作用,激子产生角 动量,且正比于 方向反平行 生感应磁矩. 相应也产 ●相应磁矩在磁场中附加能量 其中 所以抗磁移动 随着 增加而增加. CdS中A激子, ②塞曼能移 ●在 情况下,激子中电子和空穴具有 自旋磁矩,该磁矩在磁场中产生附加能量 其中“+”对于三重态激子 ,“-”对于单