半导体制造学-化學機械平坦化.pptVIP

* 半導體製造技術第 18 章化學機械平坦化 課程大綱 描述出平坦化的術語。 列出並討論3種傳統平坦化種類。 討論化學機械平坦化、晶圓平坦度之問題、CMP之優點。 描述出用於氧化物及金屬CMP所需之研漿及研磨墊各為何？ 討論CMP設備，包括終點偵測及晶圓載器。 解釋CMP後之清洗程序。 列出並描述7種不同的CMP應用。  具有形拓之單一金屬層的IC 圖 18.1 p+ 矽基板 p? 磊晶層 場氧化物 n+ n+ p+ p+ n井 ILD 氧化物 墊 氧化物 金屬 氮化物 上部 閘極氧化物 側壁氧化物 金屬前氧化物 金屬 多晶矽 金屬 多晶矽 用於晶圓平坦化的術語 表 18.1 平坦化之定性定義 e)全面平坦化 a)未平坦化 b)平滑化 c)部分平坦化 d)局部平坦化 圖 18.2 利用化學機械平坦化 (CMP) 之多層金屬化示意圖 層間介電質 次0.25微米的CMOS橫切圖 氧化物及鎢之已平坦化層 SiO2 SiO2 SiO2 W W W 圖 18.3 具CMP之晶圓製程流程 植入 擴散 測試/分類 蝕刻 研磨 黃光 已完成晶圓 未圖案化晶圓 啟始晶圓 薄膜 晶圓製作 (前段) (Used with permission from Advanced Micro Devices) 圖 18.4 未平坦化及已平坦化表面的多層金屬化 (a) 未平坦化IC (b) 已平坦化IC (Micrographs courtesy of Integrated Circuit Engineering) 照片 18.1 傳統平坦化 回蝕法 玻璃再熱流法 旋塗式薄膜法 回蝕平坦化 SiO2 回蝕後之形拓 光阻或SOG SiO2 平坦化用材料 不想要之形拓 圖 18.5 BPSG之再流平坦化 BPSG 再流之平滑效果 BPSG 沈積之層間介電層 圖 18.6 旋塗薄膜後之ILD-2氧化層 ILD-1 ILD-2之沈積 3) ILD-1 SOG 1) ILD-1 烘烤後SOG 2) 圖 18.7 化學機械平坦化 CMP平坦度 CMP的優點 CMP機制 CMP研漿和研磨墊 CMP設備 CMP清潔 CMP設備製造商 化學機械平坦化 (CMP) 之示意圖 晶圓 晶圓載器 旋轉中平台 研漿 研漿噴灑器 研磨墊 下壓力 圖 18.8 用於平坦化程度之晶圓測量 SiO2 基板 Min Max SHpre Min Max SHpost 研磨後測量 研磨前測量 SiO2 圖 18.9 CMP的優點 表 18.2 CMP的缺點 表 18.3 氧化物CMP之機制 圖 18.10 SiO2層 研磨墊 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si CMP系統 (5)副產物之移除 (1)研漿噴灑 副產物 (2)水與氫氣負離子移向晶圓表面 (4)表面反應與 機械性研磨 吸氣 研漿 (3)機械力將研漿壓入晶圓 Si(OH)4 旋轉 Si Si Si 用於金屬CMP之機制 圖 18.11 研磨墊 2)機械性研磨 旋轉 1)表面蝕刻 與鈍化 3)再鈍化 研漿 下壓力 氧化物 金屬 氧化物 金屬 氧化物 金屬 在高配線密度中之CMP損耗 鎢內連線 (軟材料、高研磨速率) 損耗 氧化物 (硬材料、低研磨速率) 圖 18.12 由於損耗所引起之未完成的介質孔蝕刻 SiO2 由於先前介電層中的損耗所引起的非均勻性SiO2厚度變化，造成了介質孔蝕刻的不完全 鋁 鎢介質孔 LI鎢 鎢介質孔 未平坦化SiO2 已平坦化SiO2 已平坦化SiO2 第一個損耗之發生 圖 18.13 在大面貌中之CMP碟形 氮化物研磨停止層 碟形 氧化物 (硬材料、低研磨速率) 銅移除 銅 (軟材料、高研磨速率) 圖 18.14 CMP用研磨墊 多孔的表面 圖 18.15 CMP用研磨墊 (Photo courtesy of Speedfam-IPEC) 照片 18.2 由中心減慢性所產生之CMP晶圓輪廓圖 圖 18.16 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 較多的材料被移除 較少的材料被移除 CMP參數 表 18.4 具有複數個晶圓載器之CMP工具 研磨用研漿 研漿噴灑器 旋轉中平台 研磨墊 晶圓載器 軸 載器 襯膜 晶圓 圖 18.17 (Photo courtesy of